Вышедшие номера
Применение метода матрицы рассеяния для расчета примесных состояний в полупроводниковых структурах
Министерство науки и высшего образования России , 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)
Морозов С.В.1,2, Жолудев М.С.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: more@ipmras.ru, zholudev@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 18 декабря 2020 г.
Принята к печати: 21 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 3 февраля 2021 г.

Метод матрицы рассеяния адаптирован для расчета уровней энергии и волновых функций носителей заряда вблизи примесно-дефектных центров. Возможность применения данного метода для многозонных моделей продемонстрирована на примере гамильтониана Латтинжера с кулоновским акцептором в приближении сферической симметрии. Полученные значения энергии дискретных уровней хорошо согласуются с результатами расчетов, выполненных другими методами. Ключевые слова: HgCdTe, примесь, узкозонные полупроводники, матрица рассеяния.