Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN
Майборода И.О.
1, Черных И.А.
1, Седов В.С.
2, Алтахов А.С.
2, Андреев А.А.1, Грищенко Ю.В.
1, Колобкова Е.М.
1, Мартьянов А.К.2, Конов В.И.
2, Занавескин М.Л.
1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: mrlbr@mail.ru, igor.chernykh@gmail.com, sedovvadim@yandex.ru, altakhov@gmail.com, alan.andreev@gmail.com, grishchenko.jv@gmail.com, kolobkovaevg@gmail.com, art.martyanov@gmail.com, vik@nsc.gpi.ru, zanaveskin.maxim@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 16 декабря 2020 г.
Принята к печати: 17 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 3 февраля 2021 г.
Изготовлены пластины кремния с теплоотводом из поликристаллического алмаза, в которых слои кремния и алмаза имели толщину 234 nm и 250 μm соответственно. Теплопроводность алмаза составила 1290± 190 W/(m· K). Методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках кремния с теплоотводом из поликристаллического алмаза выращены нитридные гетероструктуры с двумерным электронным газом. Подвижность электронов в двумерном электронном газе и его слоевое сопротивление составили 1600 cm2/(V· s) и 300 Omega/# соответственно. Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, нитридная гетероструктура, нитрид галлия, кремний, алмаз.
- K. Husna Hamza, D. Nirmal, Int. J. Electron. Commun., 116, 153040 (2020). DOI: 10.1016/j.aeue.2019.153040
- F. Mu, R. He, T. Suga, Scripta Mater., 150, 148 (2018). DOI: 10.1016/j.scriptamat.2018.03.016
- D. Meyer, T.I. Feygelson, T.J. Anderson, J.A. Roussos, M.J.Tadjer, B.P. Downey, D.S. Katzer, B.B. Pate, M.G. Ancona, A.D. Koehler, K.D. Hobart, C.R. Eddy, IEEE Electron Dev. Lett., 35 (10), 1013 (2014). DOI: 10.1109/LED.2014.2345631
- H. Tang, J.-M. Baribeau, G.C. Aers, J. Fraser, S. Rolfe, J.A. Bardwell, J. Cryst. Growth, 323 (1), 413 (2011). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.063
- V.G. Ralchenko, A.A. Smolin, V.I. Konov, K.F. Sergeichev, I.A. Sychov, I.I. Vlasov, V.V. Migulin, S.V. Voronina, A.V. Khomich, Diamond Relat. Mater., 6 (2-4), 417 (1997). DOI: 10.1016/S0925-9635(96)00619-X
- A.A. Smolin, V.G. Ralchenko, S.M. Pimenov, T.V. Kononenko, Appl. Phys. Lett., 62 (26), 3449 (1993). DOI: 10.1063/1.109045
- A.V. Sukhadolau, E.V. Ivakin, V.G. Ralchenko, A.V. Khomich, A.V. Vlasov, A.F. Popovich, Diamond Relat. Mater., 14 (3), 589 (2005). DOI: 10.1016/j.diamond.2004.12.002
- I.O. Mayboroda, A.A. Knizhnik, Yu.V. Grishchenko, I.S. Ezubchenko, M.L. Zanaveskin, O.A. Kondratev, M.Yu. Presniakov, B.V. Potapkin, V.A. Ilyin, J. Appl. Phys., 122 (10), 105305 (2017). DOI: 10.1063/1.5002070
- L.L. Lev, I.O. Maiboroda, M.-A. Husanu, E.S. Grichuk, N.K. Chumakov, I.S. Ezubchenko, I.A. Chernykh, X. Wang, B. Tobler, T. Schmitt, M.L. Zanaveskin, V.G. Valeyev, V.N. Strocov, Nature Commun., 9 (1), 2653 (2018). DOI: 10.1038/s41467-018-04354-x
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
