Вышедшие номера
Импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей, облученных низкоэнергетическими протонами
Богатов Н.М. 1, Григорьян Л.Р. 1, Коваленко А.И.1, Коваленко М.С.1, Лунин Л.С. 2
1Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
2Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: bogatov@phys.kubsu.ru, leonmezon@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 17 декабря 2020 г.
Принята к печати: 17 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 3 февраля 2021 г.

Исследовано влияние облучения низкоэнергетическими протонами на импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических структур. Для измерения использовались биполярные прямоугольные импульсы напряжения с постоянной амплитудой 10 mV и частотой 200 kHz и 1 MHz. Показано, что облучение протонами с энергией 180 keV и дозой 1015 cm-2 создает в области пространственного заряда n+-p-перехода область с высокой концентрацией радиационных дефектов. Такие элементы могут использоваться для создания быстродействующих фотодиодов с рабочей частотой модуляции 18 MHz. Ключевые слова: фотодиод, кремний, время жизни, протон.