Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Прозрачное радиоэкранирующее покрытие, полученное при помощи самоорганизованного шаблона
1Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН, Красноярск, Россия 
2Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
3Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4Сибирский университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнёва, Красноярск, Россия
2Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
3Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
4Сибирский университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнёва, Красноярск, Россия
Email: a.voronin1988@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 24 ноября 2020 г.
Принята к печати: 24 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 3 января 2021 г.
Представлена простая и доступная технология получения тонкопленочного прозрачного радиоэкранирующего материала. Материал представляет собой серебряное микросетчатое покрытие, полученное при помощи самоорганизованного шаблона. Представлены результаты исследования радиоэкранирующих свойств данных покрытий в X- и K-диапазонах. Показано, что микросетчатое покрытие с поверхностным сопротивлением 6.8 Omega/sq и интегральным оптическим пропусканием 83.6% характеризуется эффективностью экранирования 28.4 dB на частоте 8 GHz, что соответствует экранированию 99.85% излучения. Основным механизмом экранирования радиоизлучения микросетчатыми покрытиями является отражение. Ключевые слова: самоорганизованный шаблон, микросетчатое покрытие, экранирование электромагнитного излучения.
- W. van Eck, Comput. Security, 4 (4), 269 (1985). doi.org/10.1016/0167-4048(85)90046-X
- Y.-J. Choi, K.-M. Kang, H.-S. Lee, H.-H. Park, Thin Solid Films, 583, 226 (2015). doi.org/10.1016/j.tsf.2015.04.001
- H. Xu, S.M. Anlage, L. Hu, G. Gruner, Appl. Phys. Lett., 90 (18), 3119 (2007). doi.org/10.1063/1.2734897
- K.F. Akhmadishina, I.I. Bobrinetskii, R.A. Ibragimov, I.A. Komarov, A.M. Malovichko, V.K. Nevolin, V.A. Petukhov, Inorgan. Mater., 50 (1), 23 (2014). DOI: 10.7868/S0002337X14010011
- А.С. Воронин, М.М. Симунин, Ф.С. Иванченко, А.В. Шиверский, Ю.В. Фадеев, И.А. Тамбасов, И.В. Немцев, А.А. Мацынин, С.В. Хартов, Письма в ЖТФ, 43 (17), 12 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44941.16702
- I. Anoshkin, I. Nefedova, I.S. Nefedov, D. Lyubchenko, A. Nasibulin, A. Raisanen, Micro \& Nano Lett., 11 (7), 343 (2016). DOI: 10.1049/mnl.2015.0582
- M. Hu, J. Gao, Y. Dong, K. Li, G. Shan, S. Yang, R.K.-Y. Li, Langmuir, 28 (18), 7101 (2012). doi.org/10.1021/la300720y
- Y. Han, J. Lin, Y. Liu, H. Fu, Y. Ma, P. Jin, J. Tan, Sci. Rep., 6, 25601 (2016). doi.org/10.1038/srep25601
- А.С. Воронин, M.M. Cимунин, Ю.В. Фадеев, Ф.С. Иванченко, Д.В. Карпова, И.А. Тамбасов, С.В. Хартов, Письма в ЖТФ, 45 (7), 59 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.07.47542.17626
- Y. Liu, J. Tan, Prog. Electromagn. Res., 140, 353 (2013). DOI: 10.2528/PIER13050312
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
