Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063785021020085 
Корякин А.А.1, Еремеев Ю.А.2, Осипов А.В.3, Кукушкин С.А.
3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexkorya@gmail.com, sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 20 октября 2020 г.
Принята к печати: 20 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 1 декабря 2020 г.
Изучено влияние пористости слоя кремния, содержащего макропоры, на упругие и термомеханические свойства подложек SiC/Si, получаемых методом замещения атомов. Расчет упругих констант пористого кремния выполнен методом конечных элементов. Результаты расчета модуля Юнга в направлении [111] согласуются с оценками, полученными методом наноиндентирования подложек SiC/Si(111). Построенная теоретическая модель может быть использована для определения упругих свойств подложек SiC/Si различной ориентации. Ключевые слова: пористый кремний, карбид кремния, упругие свойства.
- K.J. Chen, O. Haberlen, A. Lidow, C. Tsai, T. Ueda, Y. Uemoto, Y. Wu, IEEE Trans. Electron Dev., 64 (3), 779 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2657579
- M. Yang, W. Wang, Y. Lin, W. Yang, G. Li, Mater. Lett., 182, 277 (2016). DOI: 10.1016/j.matlet.2016.07.003
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Phys. D.: Appl. Phys., 47 (31), 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
- А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Письма в ЖТФ, 40 (24), 53 (2014). [Пер. версия: 10.1134/S1063785014120268]
- С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов, ФТТ, 61 (12), 2338 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48549.51ks
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Письма в ЖТФ, 46 (22), 3 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50298.18439
- Handbook series on semiconductor parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Scientific, Singapore, 1996)
- A.P. Roberts, E.J. Garboczi, J. Am. Ceram. Soc., 83 (12), 3041 (2000). DOI: 10.1111/j.1151-2916.2000.tb01680.x
- L. Gao, C. Wang, Z. Liu, Z. Zhuang, Chin. J. Aeronaut., 30 (4), 1417 (2017). DOI: 10.1016/j.cja.2017.05.010
- L.B. Freund, S. Suresh, Thin film materials. stress, defect formation and surface evolution (Cambridge University Press, Cambridge, 2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
