"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063785021020085
Корякин А.А.1, Еремеев Ю.А.2, Осипов А.В.3, Кукушкин С.А. 3
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexkorya@gmail.com, sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 20 октября 2020 г.
Принята к печати: 20 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 1 декабря 2020 г.

Изучено влияние пористости слоя кремния, содержащего макропоры, на упругие и термомеханические свойства подложек SiC/Si, получаемых методом замещения атомов. Расчет упругих констант пористого кремния выполнен методом конечных элементов. Результаты расчета модуля Юнга в направлении [111] согласуются с оценками, полученными методом наноиндентирования подложек SiC/Si(111). Построенная теоретическая модель может быть использована для определения упругих свойств подложек SiC/Si различной ориентации. Ключевые слова: пористый кремний, карбид кремния, упругие свойства.
  1. K.J. Chen, O. Haberlen, A. Lidow, C. Tsai, T. Ueda, Y. Uemoto, Y. Wu, IEEE Trans. Electron Dev., 64 (3), 779 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2657579
  2. M. Yang, W. Wang, Y. Lin, W. Yang, G. Li, Mater. Lett., 182, 277 (2016). DOI: 10.1016/j.matlet.2016.07.003
  3. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Phys. D.: Appl. Phys., 47 (31), 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
  4. А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Письма в ЖТФ, 40 (24), 53 (2014). [Пер. версия: 10.1134/S1063785014120268]
  5. С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов, ФТТ, 61 (12), 2338 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48549.51ks
  6. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Письма в ЖТФ, 46 (22), 3 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50298.18439
  7. Handbook series on semiconductor parameters, ed. by M. Levinstein, S. Rumyantsev, M. Shur (World Scientific, Singapore, 1996)
  8. A.P. Roberts, E.J. Garboczi, J. Am. Ceram. Soc., 83 (12), 3041 (2000). DOI: 10.1111/j.1151-2916.2000.tb01680.x
  9. L. Gao, C. Wang, Z. Liu, Z. Zhuang, Chin. J. Aeronaut., 30 (4), 1417 (2017). DOI: 10.1016/j.cja.2017.05.010
  10. L.B. Freund, S. Suresh, Thin film materials. stress, defect formation and surface evolution (Cambridge University Press, Cambridge, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.