Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 23 » Статья стр. 41
<<<>>>
Влияние подслоя Ba0.2Sr0.8TiО3 на структуру и электрофизические характеристики пленок цирконата-титаната свинца на подложке Si(001)
DOI: 10.21883/PJTF.2020.23.50348.18476
Переводная версия: 10.1134/S1063785020120159
Министерство науки и высшего образования РФ , государственне задание ЮНЦ РАН, 0120-1354-247
Зинченко С.П. 1, Стрюков Д.В. 1, Павленко А.В. 1, Мухортов В.М. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: tres-3@mail.ru, strdl@mail.ru, tolik_260686@mail.ru, mukhortov1944@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 августа 2020 г.
Принята к печати: 22 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2020 г.
PDF версия
Методом высокочастотного катодного распыления получены гетероструктуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник Pb(ZrTi)O3/Ba0.2Sr0.8TiО3/Si(001). Установлено, что пленки Pb(ZrTi)O3 являются однофазными, текстурированными, при этом степень преобладания одной кристаллографической ориентации над другой (110 или 001) определяется толщиной подслоя Ba0.2Sr0.8TiО3. Показано, что за счет вариации толщины подслоя и/или амплитуды одного периода внешнего двухполярного полевого воздействия возможно создание различных электрофизических состояний структуры, что может служить основой для создания ячейки памяти, в частности многоуровневой. Ключевые слова: тонкие пленки, сегнетоэлектрик, цирконат-титанат свинца, подслой.
  1. Yan L., Li J.-F., Cao H., Viehland D. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 262905. DOI: 10.1063/1.2425016
  2. Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С., Зубкова Е.Н., Абдуллаев Д.А., Котова Н.М., Вишневский А.С. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 3. С. 487--490. DOI: 10.1134/S1063783415030300
  3. Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов н/Д: ЮНЦ РАН, 2008. 224 с
  4. Павленко А.В., Стрюков Д.В., Мухортов В.М., Бирюков С.В. // ЖТФ. 2018. Т. 88. В. 3. С. 418--421. DOI: 0.21883/JTF.2018.03.45600.2223
  5. Стрюков Д.В., Мухортов В.М., Бирюков С.В., Головко Ю.И. // Наука Юга России. 2017. Т. 13. В. 1. С. 18--24. DOI: 10.23885/2500-0640-2017-13-1-18-24
  6. Baudry L., Lukyanchuk I., Vinoku V.M. // Sci. Rep. 2017. V. 7. P. 42196. DOI: 10.1038/srep42196
  7. Torelli G., Lanzoni M., Manstretta A., Ricco B. Multilevel flash memories // Flash memories. Boston: Springer, 1999. P. 361--397. DOI: 10.1007/978-1-4615-5015-0\_6
  8. Shyu Y., Lin J., Huang C., Lin C., Lin Y., Chang S. // IEEE Transact. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst. 2013. V. 21. N 4. P. 624--635. DOI: 10.1109/TVLSI.2012.2190535
  9. Xu R., Liu S., Saremi S., Gao R., Wang J.J., Hong Z., Lu H., Ghosh A., Pandya S., Bonturim E., Chen Z.H., Chen L.Q., Rappe A.M., Martin L.W. // Nature Commun. 2019. V. 10. P. 1282. DOI: 10.1038/s41467-019-09207-9

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme