Методом спектральной эллипсометрии в диапазоне энергий фотонов 0.5-9.3 eV исследованы эпитаксиальные пленки монокристаллического карбида кремния кубического политипа 3C-SiC толщиной 20-120 nm, выращенные из Si методом замещения атомов. Обнаружено, что на границе раздела 3C-SiC(111)/Si(111) образуется тонкий промежуточный слой с диэлектрической проницаемостью, соответствующей полуметаллу. Данный результат подтвержден квантово-химическим моделированием свойств межфазной границы раздела 3C-SiC(111)/Si(111). Показано, что проводимость слоя связана с p-электронами атомов Si в SiC на границе раздела фаз, максимально удаленных от атомов Si-подложки. Ключевые слова: карбид кремния, гетероструктуры, интерфейс, диэлектрическая проницаемость, эллипсометрия, полуметаллы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.