"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Оптические свойства, зонная структура и проводимость межфазной границы раздела гетероструктуры 3C-SiC(111)/Si(111), выращенной методом замещения атомов
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110243
Российский научный фонд, 20-12-00193
Кукушкин С.А. 1,2, Осипов А.В. 1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 29 июня 2020 г.
Принята к печати: 26 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 15 сентября 2020 г.

Методом спектральной эллипсометрии в диапазоне энергий фотонов 0.5-9.3 eV исследованы эпитаксиальные пленки монокристаллического карбида кремния кубического политипа 3C-SiC толщиной 20-120 nm, выращенные из Si методом замещения атомов. Обнаружено, что на границе раздела 3C-SiC(111)/Si(111) образуется тонкий промежуточный слой с диэлектрической проницаемостью, соответствующей полуметаллу. Данный результат подтвержден квантово-химическим моделированием свойств межфазной границы раздела 3C-SiC(111)/Si(111). Показано, что проводимость слоя связана с p-электронами атомов Si в SiC на границе раздела фаз, максимально удаленных от атомов Si-подложки. Ключевые слова: карбид кремния, гетероструктуры, интерфейс, диэлектрическая проницаемость, эллипсометрия, полуметаллы.
  1. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 313001. DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
  2. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2017. V. 50. P. 464006. DOI: 10.1088/1361-6463/aa8f69
  3. Сорокин Л.М., Веселов Н.В., Щеглов М.П., Калмыков А.Е., Ситникова А.А., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 22. С. 88--94. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/13875
  4. Pezoldt J., Cimalla V. // Crystals. 2020. V. 10. P. 523 (1--22). DOI: 10.3390/cryst10060523
  5. Spectroscopic ellipsometry for photovoltaics. V. 1. Fundamental principles and solar cell characterization / Eds H. Fujiwara, R.W. Collins. Cham: Springer, 2018. 594 p. DOI: 10.1007/978-3-319-75377-5
  6. Jellison G.E., Modine F.A. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 371--373. DOI: 10.1063/1.118064
  7. Ashcroft N.W., Mermin N.D. Solid state physics. N.Y.: Holt, Rinehart and Winston, 1976. 826 p
  8. Kresse G., Furthmuller J. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 11169. DOI: 10.1103/PhysRevB.54.11169
  9. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. P. 3865--3868. DOI: 10.1103/PhysRevLett.77.3865
  10. Sun J., Ruzsinszky A., Perdew J.P. // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 115. P. 036402. DOI: 10.1103/PhysRevLett.115.03640

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.