"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование квантовых точек в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110152
РФФИ, 19-07-00595-а
Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере, Старт-1, 6823/С3-48354
Жуков Н.Д.1, Ягудин И.Т.1, Абаньшин Н.П.1, Мосияш Д.С.1
1Общество с ограниченной ответственностью "НПП Волга", Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 22 мая 2020 г.
Принята к печати: 28 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2020 г.

Исследованы квантовые точки (КТ) полупроводников CdSe, PbS, InSb в мультизеренном слое планарно-торцевой микроструктуры. Рассмотрена модель упорядоченного расположения КТ в микронном зазоре структуры и протекания тока по линиям их последовательно-параллельного расположения. Электронный транспорт при малых величинах напряжения (менее 8 V) определяется термо- и туннельной эмиссией из КТ в зазор, при больших - зарядовым ограничением в КТ по модели кулоновской блокады. Обнаружено сильное влияние на вольт-амперные характеристики излучения ИК- и УФ-спектров. Ключевые слова: квантовая точка, мультизеренный слой, планарно-торцевая микроструктура, электронный транспорт, туннельная эмиссия, кулоновская блокада.
  1. Васильев Р.Б., Дирин Д.Н. Квантовые точки: синтез, свойства, применение. Методические материалы. М.: ФНМ МГУ, 2007. 34 с
  2. Жуков Н.Д., Ягудин И.Т. // Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы X Междунар. науч.-техн. конф. Нальчик: КБГУ, 2018. С. 207--210
  3. Rahman M.M., Karim M.R., Alam M.M., Zaman M.B., Alharthi N., Alharbi H., Asiri A.M. // Sci. Rep. 2020. V. 10. P. 557. https://doi.org/10.1038/s41598-019-57091-6
  4. Dhawan A.R., Belacel C., Esparza-Villa J.U., Nasilowski M., Wang Z., Schwob C., Hugonin J.-P., Coolen L., Dubertret B., Senellart P., Maitre A. // Light: Sci. Appl. 2020. V. 9. P. 33. https://doi.org/10.1038/s41377-020-0269-0
  5. Шишкин М.И., Ягудин И.Т. // Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы X Междунар. науч.-техн. конф. Нальчик: КБГУ, 2018. С. 340--344
  6. Geuchies J.J., Soligno G., Geraffy E.C., Hendrikx P., van Overbeek C., Montanarella F., Slot M.R., Konovalov O.V., Petukhov A.V., Vanmaekelbergh D. // Commun. Chem. 2020. V. 3. P. 28. https://doi.org/10.1038/s42004-020-0275-4
  7. Chumakov A.S., Al-Alwani A.J.K., Gorbachev I.A., Ermakov A.V., Kletsov A.A., Glukhovskoy E.G., Kazak A.V., Usol'tsev N.V., Shtykov S.N. // BioNanoSci. 2017. V. 7. P. 666--671. https://doi.org/10.1007/s12668-017-0449-4
  8. Абаньшин Н.П., Аветисян Ю.А., Акчурин Г.Г., Логинов А.П., Морев С.П., Мосияш Д.С., Якунин А.Н. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 10. С. 13--32
  9. Адрианов В.Е., Маслов В.Г., Баранов А.В., Федоров А.В., Артемьев М.В. // Опт. журн. 2011. Т. 78. N 11. С. 11--19
  10. Жуков Н.Д., Мосияши Д.С., Синёв И.В., Хазанов А.А., Смирнов А.В., Лапшин И.В. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 24. С. 72--79
  11. Овчаренко В.Е., Боянгин Е.Н., Мышляев М.М., Иванов Ю.Ф., Иванов К.В. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 7. С. 1270--1276. [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/ S1063783415070252]
  12. Жуков Н.Д., Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Мосияш Д.С., Хазанов А.А., Шишкин М.И. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 1. С. 83--88
  13. Жуков Н.Д., Шишкин М.И., Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 8. С. 102--110
  14. Крыльский Д.В., Жуков Н.Д. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 16. С. 10--13
  15. Айвазов А., Будагян Б., Вихров С., Попов А. Неупорядоченные полупроводники. М.: Изд-во МЭИ, 1995. 352 с
  16. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 11. С. 1281--1308
  17. Kurzmann A., Stegmann P., Kerski J., Schott R., Ludwig A., Wieck A.D., Konig J., Lorke A., Geller M. // Phys. Rev. Lett. 2019. V. 122. P. 247403. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.247403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.