Вышедшие номера
Синтез и газовая чувствительность тонких пленок оксида хрома
Переводная версия: 10.1134/S106378502010017X
Алмаев А.В.1, Кушнарев Б.О.1, Черников Е.В.1, Новиков В.А.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: Kuschnaryow@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 6 июля 2020 г.
Принята к печати: 20 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 14 августа 2020 г.

Методом высокочастотного магнетронного распыления с последующим отжигом при T=673 K в атмосфере воздуха синтезированы тонкие поликристаллические пленки Cr2O3. Диаметр зерен в тонкой пленке Cr2O3 составляет 40-70 nm, ширина запрещенной зоны 3.3±0.2 eV. Пленки Cr2O3 в области температур 303-473 K демонстрируют высокие отклики на NO2, Н2, пары ацетона и толуола, слабо реагируют на воздействие CH4 и СО и характеризуются относительно слабой зависимостью сопротивления от влажности. Предложена качественная модель влияния газов на электрические свойства тонких пленок Cr2O3. Ключевые слова: оксид хрома, тонкие пленки, магнетронное распыление, газовые сенсоры.
  1. Kamble V.B., Umarji A.M // J. Mater. Chem. C. 2013. V. 1. P. 8167-8176. DOI: 10.1039/C3TC31830C
  2. Kim H., Lee J. // Sensors Actuators B. 2014. V. 192. P. 607-627. DOI: 10.1016/j.snb.2013.11.005
  3. Абдулин Х.А., Жумагулов С.К., Исмаилова Г.А., Калкозова Ж.К., Кудряшов В.В., Серикканов А.С. // ЖТФ. 2020. Т. 90. В. 7. С. 1184-1188
  4. Kim T.-H., Yoon J.-W., Kang Y.-C., Abdel-Hady F., Wazzan A.A., Lee J.-H. // Sensors Actuators B. 2017. V. 240. P. 1049-1057. http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2016.09.098
  5. Suhail M.H., Adehmash I.K., Kareem S.M.A., Tahir D.A., Abdullah O.Gh. // Trans. Electr. Electron. Mater. 2020. V. 21. P. 355-365. https://doi.org/10.1007/s42341-020-00182-3
  6. Kohli N., Singh O., Singh R.C. // Sensors Actuators B. 2011. V. 158. P. 259-264. DOI: 10.1039/C3TC31830C
  7. Liu H., Du X., Xing X., Wang G., Qiao Z. // Chem. Commun. 2012. V. 48. P. 865-867. DOI: 10.1039/C1CC16341H
  8. Oros C., Wisitsoraat A., Limsuwan P., Horpathum M., Patthanasettakul V. // Adv. Mater. Res. 2008. V. 55-57. P. 285-288. DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.55-57.285
  9. Abdullah M.M., Rajab F.M., Al-Abbas S.M. // AIP Adv. 2014. V. 4. P. 027121. DOI: 10.1063/1.4867012
  10. Mahmood A., Street M., Echtenkamp W., Kwan C.P., Bird J.P., Binek C. // Phys. Rev. Mater. 2018. V. 2. P. 044401. DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.2.044401
  11. Lebreau F., Islam M.M., Diawara B., Marcus J.P. // J. Phys. Chem. C. 2014. V. 118. P. 18133-18145. DOI: 10.1021/jp5039943
  12. Barsan N., Simion C., Heine T., Pokhrel S., Weimar U. // J. Electroceram. 2010. V. 25. P. 11-19. DOI: 10.1007/s10832-009-9583-x
  13. Кожушнер М.А., Боднева В.Л., Трахтенберг Л.И. // ЖФХ. 2012. Т. 86. N 8. С. 1397-1404
  14. Кожушнер М.А., Боднева В.Л., Белышева Т.В., Герасимов Г.Н., Громов В.Ф., Иким М.И., Paltiel Y., Спиридонова Е.Ю., Трахтенберг Л.И. // ЖФХ. 2017. Т. 91. N 3. С. 533-538
  15. Боднева В.Л., Кожушнер М.А., Посвянский В.С., Трахтенберг Л.И. // Хим. физика. 2019. Т. 38. N 1. С. 75-80
  16. Yim S.D., Chang K.-H., Nam I.-S. // Stud. Surf. Sci. Catal. 2001. V. 139. P. 173-180. DOI: 10.1016/S0167-2991(01)80195-6
  17. Бадалян С.М., Алиханян А.С., Румянцева М.Н., Николаев С.А., Марикуца А.В., Смирнов В.В., Гаськов А.М. // Неорган. материалы. 2010. В. 46. N 3. С. 278-283

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.