Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 18 » Статья стр. 3
>>>
Свободная энергия образования зародыша при росте III-V нитевидного нанокристалла
DOI: 10.21883/PJTF.2020.18.49991.18401
Переводная версия: 10.1134/S1063785020090187
РФФИ, 18-02-40006, 19-52-53031, 20-52-16301, 20-02-00351
Дубровский В.Г.1, Соколовский А.С.1, Штром И.В.2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 28 мая 2020 г.
Принята к печати: 4 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 15 июля 2020 г.
PDF версия
Получено выражение для свободной энергии образования зародыша из жидкой капли катализатора при росте III-V нитевидных нанокристаллов по механизму пар-жидкость-кристалл. Проведен учет эффекта истощения количества атомов элемента группы V (As) в капле за счет роста островка при осаждении As из газовой фазы. Теоретически исследованы различные режимы формирования островка, в том числе режим с остановкой роста при малых концентрациях As в капле. Показано, что остановка роста происходит при уменьшении концентрации As до равновесного значения. Полученные результаты могут быть использованы при моделировании кинетики роста III-V нитевидных нанокристаллов, статистики их нуклеации и функций распределения по длине, кристаллической фазы и процессов легирования. Ключевые слова: III-V нитевидный нанокристалл, зародыш, свободная энергия.
  1. Zhang A., Zheng G., Lieber C.M. Nanowires: building blocks for nanoscience and nanotechnology. Springer, 2016. 327 p
  2. Dubrovskii V.G. Theory of VLS growth of compound semiconductors // Semiconductors and Semimetals / Eds A. Fontcuberta i Morral, S.A. Dayeh, C. Jagadish. Burlington: Academic Press, 2015. V. 93. P. 1--78
  3. Dimakis E., Jahn U., Ramsteiner M., Tahraoui A., Grandal J., Kong X., Marquardt O., Trampert A., Riechert H., Geelhaar L. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 2604--2609
  4. Cirlin G.E., Bouravleuv A.D., Soshnikov I.P., Samsonenko Yu.B., Dubrovskii V.G., Arakcheeva E.M., Tanklevskaya E.M., Werner P. // Nanoscale Res. Lett. 2010. V. 5. P. 360
  5. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89--90
  6. Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 289. P. 31--36
  7. Matteini F., Dubrovskii V.G., Ruffer D., Tutuncuovglu G., Fontana Y., Fontcuberta i Morral A. // Nanotechnology. 2015. V. 26. P. 105603.
  8. Cirlin G.E., Dubrovskii V.G., Petrov V.N., Polyakov N.K., Korneeva N.P., Demidov V.N., Golubok A.O., Masalov S.A., Kurochkin D.V., Gorbenko O.M., Komyak N.I., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Kovsh A.R., Maximov M.V., Tsatusul'nikov A.F., Volovik B.V., Zhukov A.E., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Grundmann M., Bimberg D. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. P. 1262--1265
  9. Glas F. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 121302(R)
  10. Ng K.W., Ko W.S., Tran T.T.D., Chen R., Nazarenko M.V., Lu F., Dubrovskii V.G., Kamp M., Forchel A., Chang-Hasnain C.J. // ACS Nano. 2013. V. 7. P. 100--107
  11. Wen C.-Y., Tersoff J., Hillerich K., Reuter M.C., Park J.H., Kodambaka S., Stach E.A., Ross F.M. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 107. P. 025503
  12. Harmand J.C., Patriarche G., Glas F., Panciera F., Florea I., Maurice J.-L., Travers L., Ollivier Y. // Phys. Rev. Lett. 2018. V. 121. P. 166101
  13. Panciera F., Baraissov Z., Patriarche G., Dubrovskii V.G., Glas F., Travers L., Mirsaidov U., Harmand J.C. // Nano Lett. 2020. V. 20. P. 1669--1675
  14. Reguera D., Bowles R.K., Djikaev Y., Reiss H.J. // J. Chem. Phys. 2003. V. 118. P. 340--353
  15. Schmelzer J.W.P., Abyzov A.S. // J. Chem. Phys. 2011. V. 134. P. 054511
  16. Dubrovskii V.G. // Cryst. Growth Design. 2017. V. 17. P. 2589--2593
  17. Glas F., Dubrovskii V.G. // Phys. Rev. Mater. In press
  18. Дубровский В.Г. // Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46. В. 8. С. 3--6
  19. Dubrovskii V.G., Hijazi H. // Nanomaterials. 2020. V. 10. P. 833
  20. Dubrovskii V.G., Grecenkov J. // Cryst. Growth Design. 2015. V. 15. P. 340--347.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme