Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 11 » Статья стр. 51
<<<
Формирование бикристаллических пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира при высоких скоростях роста
DOI: 10.21883/PJTF.2020.11.49501.17964
Переводная версия: 10.1134/S1063785020060085
Минобрнауки России , Поддержка и развитие центров коллективного пользования научным оборудованием, RFMEFI62119X0035
Российского фонда фундаментальных исследований , грант № 18-29-12099 мк
Муслимов А.Э. 1, Исмаилов А.М.2, Асваров А.Ш. 1,3, Бабаев В.А.2, Каневский В.М.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
3Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Email: amuslimov@mail.ru, egdada@mail.ru, abil-as@list.ru, kanev@crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 17 марта 2020 г.
Принята к печати: 17 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
PDF версия
Предложена методика формирования бикристаллической пленки ZnO c использованием особенностей метода магнетронного распыления и ориентирующего действия ромбоэдрической плоскости сапфира. Показано, что при последовательном использовании двух режимов осаждения (~ 2 и ~ 16 nm/s) формируется бикристаллическая пленка с (110)-ориентированным нижним подслоем и (002)-ориентированным верхним. Рекристаллизационный отжиг при 1000oC в течение 10 h не влияет на верхний (002)-ориентированный слой и приводит к релаксации напряжений в нижнем (110)-ориентированном слое. Ключевые слова: оксид цинка, дифракция, бикристаллические пленки.
  1. Хлюстиков И.Н., Хайкин М.С. // ЖЭТФ. 1978. Т. 75. В. 3. С. 1158--1160
  2. Amiri-Hezaveh A., Balluffi R.W. // Rev. Sci. Instrum. 1993. V. 64. N 10. P. 2983--2992
  3. Gorkaya T., Molodov D.A., Gottstein G. // Acta Mater. 2009. V. 57. N 18. P. 5396--5405
  4. Straumal B.B., Polyakov S.A., Bischoff E., Mittemeijer E.J., Gust W. // Def. Diff. Forum. 2003. V. 216-217. P. 93--100
  5. Иванов В.А., Аминов Т.Г., Новоторцев В.М., Калинников В.Т. // Изв. АН. Сер. хим. 2004. N 11. С. 2255--2303
  6. Mathur N.D., Burnell G., Isaac S.P., Jackson T.J., Teo B.-S., MacManus-Driscoll J.L., Cohen L.F., Evetts J.E., Blamire M.G. // Nature. 1997. V. 387. N 6630. P. 266--268
  7. Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Эмиров Р.М., Беляев В.В. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 22. С. 40--47
  8. Moriyama T., Fujita Sh. // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. V. 44. N 11R. P. 7919--7921
  9. Буташин А.В., Власов В.П., Каневский В.М., Муслимов А.Э., Федоров В.А. // Кристаллография. 2012. Т. 57. N 6. С. 927--933
  10. Муслимов А.Э., Исмаилов А.М., Бабаев В.А., Каневский В.М. // Кристаллография. 2019. T. 64. N 5. C. 790--795
  11. Исмаилов А.М., Эмирасланова Л.Л., Рабаданов М.Х., Рабаданов М.Р., Алиев И.Ш. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 12. С. 52--61
  12. Meyer B., Marx D. // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. N 3. P. 035403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme