Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 8 » Статья стр. 29
<<<>>>
Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
DOI: 10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215
Переводная версия: 10.1134/S1063785020040185
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), a, 20-08-00096
Бессолов В.Н. 1, Грузинов Н.Д.2, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В. 1, Пантелеев В.Н.1, Родин С.Н.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: bes@triat.ioffe.rssi.ru, lena@triat.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 22 января 2020 г.
В окончательной редакции: 22 января 2020 г.
Принята к печати: 27 января 2020 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
PDF версия
Эпитаксиальные слои AlN выращены на подложке Si(111) при последовательном применении нескольких методов: реактивного магнетронного распыления (до толщины 20 nm), газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (до толщины 450 nm) и хлоридно-гидридной газофазной эпитаксии (до толщины 2 μm). Формирование AlN таким комбинированным методом обеспечивает существенное снижение деформации слоя и подавление формирования трещин. Ключевые слова: нитрид алюминия, кремний, газофазная эпитаксия.
  1. Feng Y., Wei H., Yang S., Zhang H., Kong S., Zhao G., Liu X. // CrystEngComm. 2014. V. 16. N 32. P. 7525--7528
  2. Tanaka S., Honda Y., Kameshiro N., Iwasaki R., Sawaki N., Tanji T., Ichihahi M. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 260. N 3-4. P. 360--365
  3. Бессолов В.Н., Давыдов В.Ю., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Мосина Г.Н., Раевский С.Д., Родин С.Н., Шарофидинов Ш., Щеглов М.П., Seok P.H., Masayoshi K. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. B. 21. С. 30--39
  4. Tamariz S., Martin D., Grandjean N. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 476. P. 58--63
  5. Bourret A., Barski A., Rouviere J.L., Renaud G., Barbier A. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 4. P. 2003--2009
  6. Selvaduray G., Sheet L. // Mater. Sci. Technol. 1996. V. 9. N 6. P. 463--473
  7. Mastro M.A., Eddy C.R., Jr., Gaskill D.K., Bassim N.D., Casey J., Rosenberg A., Holm R.T., Henry R.L., Twigg M.E. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 287. N 2. P. 610--614
  8. Jamil M., Grandusky J.R., Jindal V., Tripathi N., Shahedipour-Sandvik F. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. N 2. P. 023701
  9. Liu H.Y., Tang G.S., Zeng F., Pan F. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 363. P. 80-85
  10. Yamada T., Tanikawa T., Honda Y., Yamaguchi M., Amano H. // Jpn. J. Appl. Phys. 2013. V. 52. N 8S. P. 08JB16
  11. Бессолов В.Н., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н., Родин С.Н., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. B. 11. C. 3--5
  12. Бессолов В.Н., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н. // Письма в ЖТФ. 2020. Т. 46. B. 2. C. 12--14
  13. Etzkorn E.V., Clarke D.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 2. P. 1025--1034
  14. Goni A.R., Siegle H., Syassen K., Thomsen C., Wagner J.M. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. N 3. P. 035205
  15. Zheng W., Zheng R., Huang F., Wu H., Li F. // Photon. Res. 2015. V. 3. N 2. P. 38--43

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme