Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 7 » Статья стр. 36
<<<>>>
Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия
DOI: 10.21883/PJTF.2020.07.49218.18145
Переводная версия: 10.1134/S1063785020040100
Михайлов А.И.1, Кабанов В.Ф.1, Гавриков М.В.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: maks.gavrikov.96@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 9 декабря 2019 г.
Принята к печати: 10 января 2020 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
PDF версия
На основе анализа нормированных дифференциальных туннельных вольт-амперных характеристик проведено рассмотрение механизмов токопереноса через квантовые точки антимонида индия. Исследовано туннелирование электронов с учетом дискретного спектра квантовых точек. Проведена оценка положения первых трех уровней их электронного спектра. Показано, что механизм наблюдавшегося тока автоэлектронной эмиссии из пленочной структуры коллоидных квантовых точек антимонида индия удовлетворительно описывается теорией Моргулиса-Стрэттона в диапазоне значений напряженности электрического поля, соответствующем условиям экспериментов. Ключевые слова: квантовые точки, антимонид индия, сканирующая туннельная микроскопия, теория Моргулиса-Стрэттона.
  1. Abautret J., Perez J.P., Evirgen A., Rothman J., Cordat A., Christol P. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. N 24. P. 244502 (1-6)
  2. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И.А., Глуховской Е.Г. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 6. С. 603--607
  3. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D., Glukhovskoy E.G. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2017. V. 8. N 5. P. 596--599
  4. Liu W., Chang A.Y., Schaller R.D., Talapin D.V. // J. Am. Chem. Soc. 2012. V. 134. N 50. P. 20258--20261
  5. Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Гавриков М.В., Крыльский Д.В. Свойства квантовых точек InSb, полученных методами коллоидного синтеза и химического травления // Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы XI Междунар. науч.-техн. конф. Нальчик: Кабард.-Балкар. ун-т, 2019. C. 116--120
  6. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Glukhovskoy E.G., Shishkin M.I., Gavrikov M.V. // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2018. V. 9. N 4. P. 464--467
  7. Егоров Н.В., Шешин Е.П. Автоэлектронная эмиссия. Принципы и приборы. М.: Интеллект, 2011. 704 с
  8. Кузьменко А.П., Кузько А.Е., Тимаков Д.И. // ЖТФ. 2013. Т. 83. В. 2. С. 91--96
  9. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. М.: Логос, 2006. 496 с
  10. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Жуков Н.Д. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 12. С. 8--14

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme