"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотоотклик в мультислойном графене при прохождении поверхностной акустической волны
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030086
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-06306
Кононенко О.В. 1, Емелин Е.В.1, Матвеев В.Н.1, Рощупкин Д.В.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: oleg@iptm.ru, eemelin@iptm.ru, matveev@iptm.ru, rochtch@iptm.ru
Поступила в редакцию: 28 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2019 г.
Принята к печати: 28 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Исследован фотоотклик в мультислойном графене на кристалле ниобата лития (LiNbO3) в условиях приложенного к графену электрического потенциала и пропускания поверхностной акустической волны. Показано, что акустоэлектрический ток в графене при облучении светом либо возрастает, либо уменьшается в зависимости от полярности приложенного к графену потенциала. Поверхностная акустическая волна вызывает появление в графене периодической решетки зарядов, усиливающей взаимодействие с падающим светом, что приводит к увеличению фотоотклика. Ключевые слова: графен, поверхностная акустическая волна, акустоэлектрический ток, фотоотклик.
  1. Xuan W., He M., Meng N., He X., Wang W., Chen J., Shi T., Hasan T., Xu Z., Xu Y., Luo J.K. // Sci. Rep. 2014. V. 4. P. 7206. DOI: 10.1038/srep07206
  2. Whitehead E.F., Chick E.M., Bandhu L., Lawton L.M., Nash G.R. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 063110. DOI: 10.1063/1.4818465
  3. Miseikis V., Cunningham J.E., Saeed K., O'Rorke R., Davies A.G. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 133105. DOI: 10.1063/1.3697403
  4. Bandhu L., Lawton L.M., Nash G.R. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103, P. 133101. DOI: 10.1063/1.4822121
  5. Bandhu L., Nash G.R. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 263106. DOI: 10.1063/1.4905222
  6. Roshchupkin D., Ortega L., Zizak I., Plotitcyna O., Matveev V., Kononenko O., Emelin E., Erko A., Tynyshtykbayev K., Irzhak D., Insepov Z. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. P. 104901. DOI: 10.1063/1.4930050
  7. Hernandez-Mi nguez A., Tahraoui A., Lopes J.M.J., Santos P.V. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. P. 193502. DOI: 10.1063/1.4949756
  8. Insepov Z., Emelin E., Kononenko O., Roshchupkin D.V., Tnyshtykbayev K.B., Baigarin K.A. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. P. 023505. DOI: 10.1063/1.4906033
  9. Poole T., Bandhu L., Nash G.R. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. P. 133107. DOI: 10.1063/1.4916940
  10. Poole T., Nash G.R. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51. P. 154001. DOI: 10.1088/1361-6463/aab3ec
  11. Echtermeyer T.J., Britnell L., Jasnos P.K., Lombardo A., Gorbachev R.V., Grigorenko A.N., Geim A.K., Ferrari A.C., Novoselov K.S. // Nature Commun. 2011. V. 2. P. 458. DOI: 10.1038/ncomms1464
  12. Farhat M., Guenneau S., Bagci H. // Phys. Rev. Lett. 2013. V. 111. P. 237404. DOI: 10.1103/PhysRevLett.111.237404
  13. Schiefele J., Pedros J., Sols F., Calle F., Guinea F. // Phys. Rev. Lett. 2013. V. 111. P. 237405. DOI: 10.1103/PhysRevLett.111.237405
  14. Tanski W.J., Wittels N.D. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. P. 537--539. DOI: 10.1063/1.90878
  15. Roshchupkin D.V., Brunel M., Tucoulou R., Bigler E., Sorokin N.G. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 164--165. DOI: 10.1063/1.111552

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.