"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030050
Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», приказ от 25.06.2019 г. № 1359
Черных И.А. 1, Романовский С.М.2, Андреев А.А.1, Езубченко И.C.1, Черных М.Я. 1, Грищенко Ю.В. 1, Майборода И.О. 1, Корнеев С.В.2, Крымко М.М.2, Занавескин М.Л. 1, Синкевич В.Ф.2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2НПП "Пульсар", Москва, Россия
Email: igor.chernykh@gmail.com, alan.andreev@gmail.com, ezivan9@gmail.com, garaeva-maria@yandex.ru, grishchenko.jv@gmail.com, mrlbr@mail.ru, zanaveskin.maxim@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 26 ноября 2019 г.
Принята к печати: 28 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены нитрид-галлиевые гетероструктуры на подложках кремния. На их основе созданы транзисторы с периферией 1.32 mm. Мощность насыщения транзисторов в корпусе на частоте 1 GHz составила 4 и 6.3 W при напряжениях питания 30 и 60 V соответственно. Максимальный коэффициент полезного действия стока составил 57%. Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, СВЧ-электроника, нитридная гетероструктура, нитрид галлия, полупроводниковые материалы, кремний.
  1. Chen K.J., Haberlen O., Lidow A., Tsai C., Ueda T., Uemoto Y., Wu Y. // IEEE Transact. Electron Dev. 2017. V. 64. N 3. P. 779--795. DOI: 10.1109/TED.2017.2657579
  2. Cheng J., Yang X., Sang L., Guo L., Zhang J., Wang J., He C., Zhang L., Wang M., Xu F., Tang N., Qin Z., Wang X., Shen B. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 23020 (1-7). DOI: 10.1038/srep23020
  3. Semond F. // MRS Bull. 2015. V. 40. P. 412--416. DOI: 10.1557/mrs.2015.96
  4. Quay R., Schwantuschke D., Ture E., Raay F., Friesicke C., Krause S., Muller S., Breuer S., Godejohann B., Bruckner P. // Phys. Status Solidi A. 2018. V. 215. N 9. P. 1700655 (1--7). DOI: 10.1002/pssa.201700655
  5. Алексеев А.Н., Александров С.Б., Бырназ А.Э., Великовский Л.Э., Великовский И.Э., Красовицкий Д.М., Павленко М.В., Петров С.И., Погорельский М.Ю., Погорельский Ю.В., Соколов И.А., Соколов М.А., Степанов М.В., Ткаченко А.Г., Шкурко А.П., Чалый В.П. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 7. С. 58--64
  6. Арендаренко А.А., Орешкин В.А., Свешников Ю.Н., Цыпленков И.Н. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18. N 1. C. 5--15.
  7. Андреев А.А., Грищенко Ю.В., Езубченко И.C., Черных М.Я., Колобкова Е.М., Майборода И.О., Черных И.А., Занавескин М.Л. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 4. С. 52--54. DOI: 10.21883/PJTF.2019.04.47340.17567
  8. Chernykh M.Y., Ezubchenko I.S., Mayboroda I.O., Zanaveskin M.L. // J. Cryst. Growth. 2019. V. 507. P. 200--204. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.020

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.