Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In0.4Ga0.6As оптического диапазона 900-1050 nm
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030116 
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 16-12-10269
Минтаиров С.А.1, Калюжный Н.А.2, Максимов М.В.1, Надточий А.М.1, Харченко А.А.1, Шварц М.З.2, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2019 г.
Принята к печати: 26 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
Проведено исследование солнечных элементов на основе нового типа наноструктур - квантовых ям-точек (КЯТ), представляющих собой слой In0.4Ga0.6As с выраженными модуляциями состава и толщины. Энергии наблюдаемых оптических переходов в КЯТ оказываются близки к энергиям переходов с участием тяжелой и легкой дырки в двумерной квантовой яме той же номинальной толщины и состава. Пик основного состояния характеризуется сильной ТЕ-поляризацией (>70%), а более коротковолновый пик практически не поляризован (<10%). Ключевые слова: фотопреобразователь, квантово-размерные гетероструктуры, внутренняя квантовая эффективность, спектроскопия.
- Блохин С.А., Сахаров А.В., Надточий А.М., Паюсов А.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Ковш А.Р., Михрин С.С., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Шварц М.З. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 4. С. 537--542
- Wheeldon J.F., Valdivia C.E., Masson D., Proulx F., Riel B., Puetz N., Desfonds E., Fafard S., Rioux B., Springthorpe A.J., Ares R., Aimez V., Armstrong M., Cook J., Shepherd F., Hall T.J., Hinzer K. // Proc. SPIE. 2010. V. 7750. P. 77502Q
- Semonin O.E., Luther J.M., Choi S., Chen H.Y., Gao J.B., Nozik A.J., Beard M.C. // Science. 2011. V. 334. P. 1530--1533
- Alonso-Alvarez D., Thomas T., Fuhrer M., Hylton N.P., Ekins-Daukes N.J., Lackner D., Philipps S.P., Bett A.W., Sodabanlu H., Fujii H., Watanabe K., Sugiyama M., Nasi L., Campanini M. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 083124
- Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Salii R.A., Nadtochiy A.M., Payusov A.S., Brunkov P.N., Nevedomsky V.N., Shvarts M.Z., Marti A., Andreev V.M., Luque A. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2016. V. 24. P. 1261--1271
- Browne B., Lacey J., Tibbits T., Bacchin G., Wu T.C., Liu J.Q., Chen X., Rees V., Tsai J., Werthen J.G. // AIP Conf. Proc. 2013. V. 1556. P. 3-5
- Fujii H., Toprasertpong K., Wang Y., Watanabe K., Sugiyama M., Nakano Y. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2014. V. 22. P. 784--795
- Kerestes C., Polly S., Forbes D., Bailey C., Podell A., Spann J., Patel P., Richards B., Sharps P., Hubbard S. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2014. V. 22. P. 1172--1179
- Жуков А.Е., Максимов М.В., Ковш А.Р. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 10. С. 1249--1273
- Klotzkin D.J. Introduction to semiconductor lasers for optical communications. Springer, 2014. P. 59. DOI: 10.1007/978-1-4614-9341-9
- Sodabanlu H., Wang Y., Watanabe K., Sugiyama M., Nakano Y. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 233104
- Fujii H., Sodabanlu H., Sugiyama M., Nakano Y. // J. Cryst. Growth. 2015. V. 414. P. 3--9
- Fujii H., Katoh T., Toprasertpong K., Sodabanlu H., Watanabe K., Sugiyama M., Nakano Y. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. P. 154501
- Cirlin G.E., Reznik R.R., Shtrom I.V., Khrebtov A.I., Samsonenko Yu.B., Kukushkin S.A., Kasama T., Akopian N., Leonardo L. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 462--464
- Yu Q., Li X., Jia Y., Lu W., Zheng M., Zhang X., Ning Y., Wu J. // ACS Photon. 2018. V. 5. P. 4896--4902
- Mintairov A., Kalyuzhnyy N.A., Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2017. V. 32. P. 015006
- Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Rouvimov S., Zhukov A.E. // IEEE Electron. Lett. 2015. V. 51. P. 1602--1604
- Payusov A.S., Shernyakov Yu.M., Serin A.A., Nadtochiy A.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Kulagina M.M., Zhukov A.E., Gordeev N.Yu., Maximov M.V. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. V. 1135. P. 012071. DOI: 10.1088/1742-6596/1135/1/012071
- Stier O., Grundmann M., Bimberg D. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 5688--5701
- Van de Walle C.G., Martin R.M. // Phys. Rev. B. 1987. V. 35. P. 8154--8165
- Nadtochiy A.M., Maximov M.V., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Nevedomskiy V.N., Rouvimov S.S., Zhukov A.E. // Phys. Status Solidi B. 2018. V. 255. P. 1800123. DOI: 10.1002/pssb.201800123
- Davies J. The physics of low-dimensional semiconductors. Cambridge University Press, 1997. P. 390
- Kita T., Suwa M., Kaizu T., Harada Y. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 233512
- Jayavel P., Tanaka H., Kita T., Wada O., Ebe H., Sugawara M., Tatebayashi J., Arakawa Y., Nakata Y., Akiyama T. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 1820--1822
- Yu P., Langbein W., Leosson K., Hvam J.M., Ledentsov N.N., Bimberg D., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Tsatsul'nikov A.F., Musikhin Yu.G. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. P. 16680--16685.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
