"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
Переводная версия: 10.1134/S106378502001023X
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем», 19-29-03026
Горшков О.Н.1, Шенгуров В.Г.1, Денисов С.А.1, Чалков В.Ю.1, Антонов И.Н.1, Круглов А.В.1, Шенина М.Е.1, Котомина В.Е.1, Филатов Д.О.1, Серов Д.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: gorshkov@nifti.unn.ru, shengurov@phys.unn.ru, denisov@nifti.unn.ru, chalkov@nifti.unn.ru, antin0602@mail.ru, krualex@yandex.ru, epsilonbox@yandex.ru, kotominav@list.ru, filatov@inbox.ru, serow.dim2015@yandex.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Показано, что структурам Ag/Ge/Si с прорастающими дислокациями в слое Ge свойственны два режима резистивного переключения: биполярный и энергозависимый униполярный. В обоих режимах структуры обладают стабильными токовыми состояниями с отношением силы тока в низкоомном и высокоомном состояниях от 1.5 до 2.7. Энергозависимый униполярный тип переключений может быть обусловлен захватом носителей заряда на глубокие уровни, связанные с дислокациями несоответствия на границе Ge/Si, в то время как биполярное переключение связано с дрейфом ионов Ag+ по прорастающим дислокациям. Ключевые слова: пленки Ge, мемристор, резистивное переключение, дислокации, полупроводник.
  1. Resistive switching: from fundamentals of nanoionic redox processes to memristive device applications / Eds D. Ielmini, R. Waser. Wiley-VCH, 2016. 784 p
  2. Memristor and memristive neural networks / Ed. A. James. Rijeka: IntechOpen, 2018. 314 p
  3. Tsai T.-M., Chang K.-C., Zhang R., Chang T.-C., Lou J.C., Chen J.-H., Young T.-F., Tseng B.-H., Shih C.-C., Pan Y.-C., Chen M.-C., Pan J.-H., Syu Y.-E., Sze S.M. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 253509
  4. Szot K., Speier W., Bihlmayer G., Waser R. // Nature Mater. 2006. V. 5. P. 312--320
  5. Szot K., Bihlmayer G., Speier W. // Solid State Phys. 2014. V. 65. P. 353--559. DOI: 10.1016/B978-0-12-800175-2.00004-2
  6. Choi S., Tan S.H., Li Z., Kim Y., Choi C., Chen P.-Y., Yeon H., Yu S., Kim J. // Nature Mater. 2018. V. 17. P. 335--340
  7. Denisov S.A., Matveev S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. // J. Phys.: Conf. Ser. 2016. V. 690. P. 012014
  8. Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 10. С. 1411--1414
  9. Kveder V., Badylevich M., Schroter W., Seibt M., Steinman E., Izotov A. // Phys. Status Solidi A. 2005. V. 202. P. 901--910

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.