Вышедшие номера
Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/delta-< Mn>
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010204
Совет по грантам Президента Российской Федерации , грант Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых - докторов наук, МД-1708.2019.2
Дорохин М.В. 1, Дёмина П.Б. 1, Малышева Е.И.1, Кудрин А.В.1, Ведь М.В.1, Здоровейщев А.В. 1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru, demina@phys.unn.ru, zdorovei@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 10 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Исследована низкотемпературная циркулярно поляризованная электролюминесценция в гетероструктурах InGaAs/GaAs/delta-< Mn>. Установлено, что степень циркулярной поляризации слабо зависит от величины пространственного разнесения активной области и магнитного слоя и сохраняется даже при толщине спейсерного слоя, равной 12 nm. Полученный эффект связывается с дальнодействующим взаимодействием носителей заряда и ионов Mn. Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, циркулярная поляризация, гетероструктуры, обменное взаимодействие.