Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 2 » Статья стр. 25
<<<>>>
Мемристоры на основе поли-n-ксилилена с внедренными наночастицами серебра
DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48948.18064
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010277
Российский научный фонд, 18-79-10253
Мацукатова А.Н.1, Емельянов А.В.2, Миннеханов А.А.2, Сахарутов Д.А.2, Вдовиченко А.Ю.2,3, Камышинский Р.А.2,4, Демин В.А.2, Рыльков В.В.2,5, Форш П.А.2, Чвалун С.Н.2,3, Кашкаров П.К.1,2,6
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, Москва, Россия
4Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и Фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
5Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
6Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: an.matcukatova@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
PDF версия
Изучены свойства мемристоров на основе поли- п-ксилилена с наночастицами серебра: их вольт-амперные характеристики и эффект резистивного переключения, устойчивость к циклическим переключениям и возможность хранения резистивного состояния во времени. Обнаружено, что внедрение наночастиц приводит к существенному улучшению основных мемристивных характеристик. Полученные результаты могут быть использованы для создания больших массивов мемристоров с однородными характеристиками, эмулирующих синапсы в нейроморфных вычислительных системах. Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, поли- п-ксилилен, нанокомпозит.
  1. Merrikh Bayat F., Prezioso M., Chakrabarti B., Nili H., Kataeva I., Strukov D. // Nature Commun. 2018. V. 9. P. 2331
  2. Wang Z., Rao M., Han J.-W., Zhang J., Lin P., Li Y., Li C., Song W., Asapu S., Midya R., Zhuo Y., Jiang H., Yoon J.H., Upadhyay N.K., Joshi S., Hu M., Strachan J.P., Barnell M., Wu Q., Wu H., Qiu Q., Williams R.S., Xia Q., Yang J.J. // Nature Commun. 2018. V. 9. P. 3208
  3. Cai F., Correll J.M., Lee S.H., Lim Y., Bothra V., Zhang Z., Flynn M.P., Lu W.D. // Nature Electron. 2019. V. 2. N 7. P. 290--299
  4. Xia Q., Yang J.J. // Nature Mater. 2019. V. 18. N 4. P. 309--323
  5. del Valle J., Ramirez J.G., Rozenberg M.J., Schuller I.K. // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. N 21. P. 211101
  6. Spiga S., Driussi F., Congedo G., Wiemer C., Lamperti A., Cianci E. // ACS Appl. Nano Mater. 2018. V. 1. N 9. P. 4633--4641
  7. Mehonic A., Shluger A.L., Gao D., Valov I., Miranda E., Ielmini D., Bricalli A., Ambrosi E., Li C., Yang J.J., Xia Q., Kenyon A.J. // Adv. Mater. 2018. V. 30. N 43. P. 1801187
  8. Ismail M., Nisa S.U., Rana A.M., Akbar T., Lee J., Kim S. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. N 1. P. 012101
  9. Окулич Е.В., Коряжкина М.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Шенина М.Е., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Антонов И.Н., Дудин Ю.А. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 14. C. 3--6
  10. van De Burgt Y., Melianas A., Keene S.T., Malliaras G., Salleo A. // Nature Electron. 2018. V. 1. N 7. P. 386--397
  11. Cai Y., Tan J., YeFan L., Lin M., Huang R. // Nanotechnology. 2016. V. 27. N 27. P. 275206
  12. Zhou L., Mao J., Ren Y., Han S.T., Roy V.A.L., Zhou Y. // Small. 2018. V. 14. N 10. P. 1703126
  13. Chen Q., Lin M., Wang Z., Zhao X., Cai Y., Liu Q., Fang Y., Yang Y., He M., Huang R. // Adv. Electron. Mater. 2019. V. 5. N 9. P. 1800852
  14. Minnekhanov A.A., Emelyanov A.V., Lapkin D.A., Nikiruy K.E., Shvetsov B.S., Nesmelov A.A., Rylkov V.V., Demin V.A., Erokhin V.V. // Sci. Rep. 2019. V. 9. P. 10800
  15. Li W., Liu X., Wang Y., Dai Z., Wu W., Cheng L., Zhang Y., Liu Q., Xiao X., Jiang C. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. N 15. P. 153501
  16. Рыльков В.В., Николаев С.Н., Демин В.А., Емельянов А.В., Ситников А.В., Никируй К.Э., Леванов В.А., Пресняков М.Ю., Талденков А.Н., Васильев А.Л., Черноглазов К.Ю., Веденеев А.С., Калинин Ю.Е., Грановский А.Б., Тугушев В.В., Бугаев А.С. // ЖЭТФ. 2018. Т. 153. В. 3. C. 424--441
  17. Nikiruy K.E., Emelyanov A.V., Demin V.A., Sitnikov A.V., Minnekhanov A.A., Rylkov V.V., Kashkarov P.K., Kovalchuk M.V. // AIP Adv. 2019. V. 9. N 6. P. 065116
  18. Григорьев Е.И., Завьялов С.А., Чвалун С.Н. // Рос. нанотехнологии. 2006. Т. 1. N 1-2. С. 58--70
  19. Minnekhanov A.A., Shvetsov B.S., Martyshov M.M., Nikiruy K.E., Kukueva E.V., Presnyakov M.Y., Forsh P.A., Rylkov V.V., Erokhin V.V., Demin V.A., Emelyanov A.V. // Organic Electron. 2019. V. 74. P. 89--95
  20. Веденеев А.С., Рыльков В.В., Напольский К.С., Леонтьев А.П., Клименко А.А., Козлов А.М., Лузанов В.А., Николаев С.Н., Темирязева М.П., Бугаев А.С. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. В. 6. C. 387--391

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme