Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 2 » Статья стр. 22
<<<>>>
Роль пьезоэффекта в аномальной зависимости проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом от расстояния между контактами
DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48947.18007
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010290
Сизов В.Е. 1, Степушкин М.В. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: vesizov@mail.ru, cokpoweheu@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 августа 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
PDF версия
Представлены результаты экспериментальных исследований проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом в области температур 10-300 K. При низких температурах с уменьшением расстояния между контактами к структуре от 100 до 20 μm наблюдался рост сопротивления. Для объяснения данной аномальной зависимости выполнено численное моделирование влияния пьезоэффекта в полупроводнике на проводимость канала. Показано, что необходимо учитывать кристаллографическую ориентацию канала и влияние на его потенциал удаленных пьезозарядов. Ключевые слова: двумерный электронный газ, проводимость канала, пьезоэлектрический эффект, кристаллографическое направление, AlGaAs/GaAs.
  1. Reeves G.K., Harrison H.B. // IEEE Electron Dev. Lett. 1982. V. 3. N 5. P. 111--113. DOI: 10.1109/EDL.1982.25502
  2. Heiblum M., Nathan M.I., Chang C.A. // Solid-State Electron. 1982. V. 25. N 3. P. 185--195. DOI: 10.1016/0038-1101(82)90106-X
  3. Kamada M., Suzuki T., Nakamura F., Mori Y., Arai M. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 49. N 19. P. 1263--1265. DOI: 10.1063/1.97381
  4. Goktas O., Weber J., Weis J., Von Klitzing K. // Physica E. 2008. V. 40. N 5. P. 1579--1581. DOI: 10.1016/j.physe.2007.09.115
  5. Asbeck P.M., Lee C.-P., Chang M.-C.F. // IEEE Trans. Electron Dev. 1984. V. 31. N 10. P. 1377--1380. DOI: 10.1109/T-ED.1984.21719
  6. Lo S.-S., Lee C.-P. // IEEE Trans. Electron Dev. 1990. V. 37. N 10. P. 2130--2140. DOI: 10.1109/16.59901
  7. Larkin I.A., Davies J.H., Long A.R., Cusco R. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. N 23. P. 15242--15251. DOI: 10.1103/PhysRevB.56.15242
  8. Blanchard R.R., del Alamo J.A., Adams S.B., Chao P.C., Cornet A. // IEEE Electron Dev. Lett. 1999. V. 20. N 8. P. 393--395. DOI: 10.1109/55.778153
  9. Mertens S.D., del Alamo J.A. // IEEE Trans. Electron Dev. 2002. V. 49. N 11. P. 1849--1855. DOI: 10.1109/TED.2002.804698
  10. Борисов В.И., Кувшинова Н.А., Курочка С.П., Сизов В.Е., Степушкин М.В., Темирязев А.Г. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 11. С. 1534--1537. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45106.20
  11. Курочка С.П., Степушкин М.В., Борисов В.И. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2016. Т. 19. N 4. С. 271--278. DOI: 10.17073/1609-3577-2016-4-271-278

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme