Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура и сегнетоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных тонких пленок NaNbO3, полученных методом RF-катодного распыления
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010289 
Российский научный фонд, 19-12-00205
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
Email: Antvpr@mail.ru, teroganesyan@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 23 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
Впервые методом RF-катодного распыления в атмосфере кислорода получены тонкие пленки NaNbO3 на подложке MgO(001), на которую предварительно был осажден слой SrRuO3. По данным рентгенодифракционного анализа установлено, что пленки являются однофазными и монокристаллическими. Параметры элементарных ячеек в тетрагональном приближении для слоев NaNbO3 и SrRuO3 составили cNaNbO3=0.3940 (1) nm, aNaNbO3=0.389 (1) nm; cSrRuO3=0.4004 (1) nm, aSrRuO3=0.392 (3) nm. Деформация элементарной ячейки для NaNbO3 составила ε33=0.007, ε11=0.002. Диэлектрические и пьезоэлектрические измерения свидетельствуют о том, что пленки находятся в сегнетоэлектрическом состоянии. Ключевые слова: тонкие пленки, ниобат натрия, диэлектрические характеристики, деформация элементарной ячейки.
- Lui Z., Lu T., Ye J., Wang G., Dong X., Withers R., Liu Y. // Adv. Mater. Technol. 2018. V. 3. P. 1800111. DOI: 10.1002/admt.201800111
- Grabowska E. // Appl. Catalys. B. 2016. V. 186. P. 97. DOI: 10.1016/j.apcatb.2015.12.035
- Maeng W.J., Jung I., Son J.Y. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 349. P. 24--26. DOI: 10.1002/admt.201800111
- Yuzyuk Yu.I., Shakhovoy R.A., Raevskaya S.I., Raevski I.P., El Marssi M., Karkut M.G., Simon P. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 222904. DOI: 10.1063/1.3437090
- Yamazoe S., Kohori A., Sakurai H., Kitanaka Y., Noguchi Y., Miyayama M., Wada T. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. P. 052007. DOI: 10.1063/1.4746079
- Cai B., Schwarzkopf J., Hollmann E., Schmidbauer M., Abdel-Hamed M.O., Wordenweber R. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 224103. DOI: 10.1063/1.4882296
- Мухортов В.М., Колесников В.В., Бирюков С.В., Головко Ю.И., Мащенко А.И. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 8. С. 126--131
- Dieguez O., Rabe K.M., Vanderbilt D. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 144101. DOI: 10.1103/PhysRevB.72.144101
- Schwarzkopf J., Schmidbauer M., Remmele T., Duk A., Kwasniewski A., Anooz S., Devi A., Fornari R. // J. Appl. Cryst. 2012. V. 45. P. 1015--1023. DOI: 10.1107/S0021889812035911
- Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2008. 224 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
