Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 2 » Статья стр. 15
<<<>>>
Структура и сегнетоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных тонких пленок NaNbO3, полученных методом RF-катодного распыления
DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48945.18046
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010289
Российский научный фонд, 19-12-00205
Павленко А.В. 1,2, Стрюков Д.В.1, Тер-Оганесян Н.В. 2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
Email: Antvpr@mail.ru, teroganesyan@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 23 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
PDF версия
Впервые методом RF-катодного распыления в атмосфере кислорода получены тонкие пленки NaNbO3 на подложке MgO(001), на которую предварительно был осажден слой SrRuO3. По данным рентгенодифракционного анализа установлено, что пленки являются однофазными и монокристаллическими. Параметры элементарных ячеек в тетрагональном приближении для слоев NaNbO3 и SrRuO3 составили cNaNbO3=0.3940 (1) nm, aNaNbO3=0.389 (1) nm; cSrRuO3=0.4004 (1) nm, aSrRuO3=0.392 (3) nm. Деформация элементарной ячейки для NaNbO3 составила ε33=0.007, ε11=0.002. Диэлектрические и пьезоэлектрические измерения свидетельствуют о том, что пленки находятся в сегнетоэлектрическом состоянии. Ключевые слова: тонкие пленки, ниобат натрия, диэлектрические характеристики, деформация элементарной ячейки.
  1. Lui Z., Lu T., Ye J., Wang G., Dong X., Withers R., Liu Y. // Adv. Mater. Technol. 2018. V. 3. P. 1800111. DOI: 10.1002/admt.201800111
  2. Grabowska E. // Appl. Catalys. B. 2016. V. 186. P. 97. DOI: 10.1016/j.apcatb.2015.12.035
  3. Maeng W.J., Jung I., Son J.Y. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 349. P. 24--26. DOI: 10.1002/admt.201800111
  4. Yuzyuk Yu.I., Shakhovoy R.A., Raevskaya S.I., Raevski I.P., El Marssi M., Karkut M.G., Simon P. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 222904. DOI: 10.1063/1.3437090
  5. Yamazoe S., Kohori A., Sakurai H., Kitanaka Y., Noguchi Y., Miyayama M., Wada T. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. P. 052007. DOI: 10.1063/1.4746079
  6. Cai B., Schwarzkopf J., Hollmann E., Schmidbauer M., Abdel-Hamed M.O., Wordenweber R. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. P. 224103. DOI: 10.1063/1.4882296
  7. Мухортов В.М., Колесников В.В., Бирюков С.В., Головко Ю.И., Мащенко А.И. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 8. С. 126--131
  8. Dieguez O., Rabe K.M., Vanderbilt D. // Phys. Rev. B. 2005. V. 72. P. 144101. DOI: 10.1103/PhysRevB.72.144101
  9. Schwarzkopf J., Schmidbauer M., Remmele T., Duk A., Kwasniewski A., Anooz S., Devi A., Fornari R. // J. Appl. Cryst. 2012. V. 45. P. 1015--1023. DOI: 10.1107/S0021889812035911
  10. Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов н/Д: Изд-во ЮНЦ РАН, 2008. 224 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme