Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(1012) на наноструктурированной подложке Si(100)
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010174 
Бессолов В.Н.
1, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В.
1, Пантелеев В.Н.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: bes.triat@mail.ioffe.ru, lena@triat.ioffe.rssi.ru, pantiley@yahoo.com
Поступила в редакцию: 7 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
Предложен метод синтеза гексагонального слоя AlN на подложке Si(100) с наноструктурированной V-образной поверхностью, для которой угол между наклонной плоскостью "нанохребта" и Si(100) составляет 47o. Показано, что метод хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на такой подложке позволяет сформировать полуполярный слой AlN(1012) при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания omegatheta~ 60 arcmin. Обнаружено, что спектры комбинационного рассеяния света полуполярного слоя AlN(10 12) содержат дополнительные пики на кривых комбинационного рассеяния света, cвязанные с фононами A1(TO) и E1(TO), в отличие от полярного слоя AlN(0001), где дополнительно проявляется пик A1(LO). Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, хлорид-гидридная эпитаксия, комбинационное рассеяние света.
- Matsumoto T., Khan M.A., Maeda N., Fujikawa S., Kamata N., Hirayama H. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 52. P. 115102
- Liu T., Zhang J., Su X., Huang J., Wang J., Xu K. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 26040
- Dinh D.V., Presa S., Akhter M., Maaskant P.P., Corbett B., Parbrook P.J. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. P. 125007
- Bessolov V., Kalmykov A., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Poletaev N., Rodin S. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 202--206
- Romanov A.E., Baker T.J., Nakamura S., Speck J.S. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 023522
- Smirnov V.K., Kibalov D.S., Orlov O.M., Graboshnikov V.V. // Nanotechnology. 2003. V. 14, P. 709--715
- Bessolov V.N., Zubkova A.B., Konenkova E.V., Konenkov S.D., Kukushkin S.A., Orlova T.A., Rodin S.N., Rubets V.P., Kibalov D.S., Smirnov V.K. // Phys. Status Solidi B. 2019. V. 256. P. 1800268
- Бессолов В.Н., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н., Родин С.Н., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2019. T. 45. В. 11. C. 3--5
- Kuball M., Hayes J.M., Prins A.D., Van Uden N.W.A., Dunstan D.J., Shi Y., Edgar J.H. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 724--726
- Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Орлова Т.А., Родин С.Н., Щеглов М.П., Кибалов Д.С., Смирнов В.К. // Письма в ЖТФ. 2018. T. 44. В. 12. C. 45--51
- Ma B., Jinno D., Miyake H., Hiramatsu K., Harima H. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 011909
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
