Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 2 » Статья стр. 12
<<<>>>
Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(1012) на наноструктурированной подложке Si(100)
DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48944.18061
Переводная версия: 10.1134/S1063785020010174
Бессолов В.Н. 1, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В. 1, Пантелеев В.Н. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bes.triat@mail.ioffe.ru, lena@triat.ioffe.rssi.ru, pantiley@yahoo.com
Поступила в редакцию: 7 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.
PDF версия
Предложен метод синтеза гексагонального слоя AlN на подложке Si(100) с наноструктурированной V-образной поверхностью, для которой угол между наклонной плоскостью "нанохребта" и Si(100) составляет 47o. Показано, что метод хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на такой подложке позволяет сформировать полуполярный слой AlN(1012) при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания omegatheta~ 60 arcmin. Обнаружено, что спектры комбинационного рассеяния света полуполярного слоя AlN(10 12) содержат дополнительные пики на кривых комбинационного рассеяния света, cвязанные с фононами A1(TO) и E1(TO), в отличие от полярного слоя AlN(0001), где дополнительно проявляется пик A1(LO). Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, хлорид-гидридная эпитаксия, комбинационное рассеяние света.
  1. Matsumoto T., Khan M.A., Maeda N., Fujikawa S., Kamata N., Hirayama H. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 52. P. 115102
  2. Liu T., Zhang J., Su X., Huang J., Wang J., Xu K. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 26040
  3. Dinh D.V., Presa S., Akhter M., Maaskant P.P., Corbett B., Parbrook P.J. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. P. 125007
  4. Bessolov V., Kalmykov A., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Poletaev N., Rodin S. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 202--206
  5. Romanov A.E., Baker T.J., Nakamura S., Speck J.S. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 023522
  6. Smirnov V.K., Kibalov D.S., Orlov O.M., Graboshnikov V.V. // Nanotechnology. 2003. V. 14, P. 709--715
  7. Bessolov V.N., Zubkova A.B., Konenkova E.V., Konenkov S.D., Kukushkin S.A., Orlova T.A., Rodin S.N., Rubets V.P., Kibalov D.S., Smirnov V.K. // Phys. Status Solidi B. 2019. V. 256. P. 1800268
  8. Бессолов В.Н., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н., Родин С.Н., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2019. T. 45. В. 11. C. 3--5
  9. Kuball M., Hayes J.M., Prins A.D., Van Uden N.W.A., Dunstan D.J., Shi Y., Edgar J.H. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 724--726
  10. Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Орлова Т.А., Родин С.Н., Щеглов М.П., Кибалов Д.С., Смирнов В.К. // Письма в ЖТФ. 2018. T. 44. В. 12. C. 45--51
  11. Ma B., Jinno D., Miyake H., Hiramatsu K., Harima H. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 011909

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme