Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-09580
Минобрнауки РФ, 3.933.2017/4.6
Минобрнауки РФ, 3.6153.2017/7.8
Бабичев А.В.
1, Пашнев Д.А.2, Гладышев А.Г.
1, Курочкин А.С.1, Колодезный Е.С.1, Карачинский Л.Я.
1,3,4, Новиков И.И.
1,3,4, Денисов Д.В.5, Boulley L.6, Фирсов Д.А.2, Воробьев Л.Е.2, Пихтин Н.А.
4, Bousseksou A.
6, Егоров А.Ю.
1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6Center of Nanoscience and Nanotechnology (C2N), UMR CNRS, University Paris Sud, University Paris Saclay, France
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Продемонстрировано перераспределение интенсивностей коротковолновых и длинноволновых компонент в пределах полосы усиления в спектре генерации квантово-каскадного лазера спектрального диапазона 7-8 μm под действием управляющего напряжения. При увеличении напряжения с 10.5 до 18.2 V длина волны, соответствующая максимуму интенсивности лазерного излучения, смещается примерно на 200 nm. Максимальная ширина спектра генерации составляет порядка 300 nm (при температуре 80 K). Гетероструктура квантово-каскадного лазера выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Использована конструкция активной области на основе двухфононной схемы опустошения нижнего уровня с применением гетеропары твердых растворов In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As, согласованных по параметру кристаллической решетки с подложкой InP. Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия.
- Michel A.P.M., Kapit J., Witinski M.F., Blanchard R. // Appl. Opt. 2017. V. 56. P. E23--E29. DOI: 10.1364/ao.56.000e23
- Zimmermann H., Wiese M., Fiorani L., Ragnoni A. // J. Sens. Sens. Syst. 2017. V. 6. P. 155--161. DOI: 10.5194/jsss-6-155-2017
- Gmachl C., Capasso F., Sivco D.L., Cho A.Y. // Rep. Prog. Phys. 2001. V. 64. P. 1533--1601. DOI: 10.1088/0034-4885/64/11/204
- Sharpe S.W., Kelly J.F., Hartman J.S., Gmachl C., Capasso F., Sivco D.L., Baillargeon J.N., Cho A.Y. // Opt. Lett. 1998. V. 23. P. 1396--1398. DOI: 10.1364/ol.23.001396
- Maulini R., Beck M., Faist J., Gini E. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 1659--1661. DOI: 10.1063/1.1667609
- Faist J., Beck M., Aellen T., Gini E. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 147--149. DOI: 10.1063/1.1339843
- Gmachl C., Sivco D.L., Colombelli R., Capasso F., Cho A.Y. // Nature. 2002. V. 415. P. 883--887. DOI: 10.1038/415883a
- Muller A., Beck M., Faist J., Oesterle U., Ilegems M. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 1509--1511. DOI: 10.1063/1.124738
- Teissier J., Laurent S., Manquest C., Sirtori C., Bousseksou A., Coudevylle J.R., Colombelli R., Beaudoin G., Sagnes I. // Opt. Express. 2012. V. 20. P. 1172--1183. DOI: 10.1364/oe.20.001172
- Yao Y., Franz K.J., Wang X., Fan J.-Y., Gmachl C. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 021105. DOI: 10.1063/1.3179165
- Yao Y., Liu Z., Hoffman A.J., Franz K.J., Gmachl C.F. // IEEE J. Quant. Electron. 2009. V. 45. P. 730--736. DOI: 10.1109/jqe.2009.2013122
- Bismuto A., Terazzi R., Beck M., Faist J. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 141105. DOI: 10.1063/1.3377008
- Young C., Cendejas R., Howard S.S., Sanchez-Vaynshteyn W., Hoffman A.J., Franz K.J., Yao Y., Mizaikoff B., Wang X., Fan J., Gmachl C.F. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 091109. DOI: 10.1063/1.3093422
- Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. V. 1124. P. 041029. DOI: 10.1088/1742-6596/1124/4/041029
- Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 6. С. 597--602. DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45922.8751
- Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Bousseksou A., Егоров А.Ю. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 8. С. 954--957. DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46226.8834
- Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Филимонов А.В., Неведомский В.Н., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Bousseksou A., Егоров А.Ю. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 14. С. 64--71. DOI: 10.21883/PJTF.2017.14.44833.16776
- Бабичев А.В., Дюделев В.В., Гладышев А.Г., Михайлов Д.А., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Неведомский В.Н., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Денисов Д.В., Ионов А.С., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Соколовский Г.С., Егоров А.Ю. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 14. С. 48--51. DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48025.17824
- Бабичев А.В., Bousseksou A., Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Никитина Е.В., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 10. С. 1320--1324. DOI: 10.1134/s1063782616100067
- Hofstetter D., Beck M., Aellen T., Faist J. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 396--398. DOI: 10.1063/1.1340865
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
