"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
Переводная версия: 10.1134/S106378501911018X
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-09580
Минобрнауки РФ, 3.933.2017/4.6
Минобрнауки РФ, 3.6153.2017/7.8
Бабичев А.В. 1, Пашнев Д.А.2, Гладышев А.Г. 1, Курочкин А.С.1, Колодезный Е.С.1, Карачинский Л.Я. 1,3,4, Новиков И.И. 1,3,4, Денисов Д.В.5, Boulley L.6, Фирсов Д.А.2, Воробьев Л.Е.2, Пихтин Н.А. 4, Bousseksou A. 6, Егоров А.Ю. 1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6Center of Nanoscience and Nanotechnology (C2N), UMR CNRS, University Paris Sud, University Paris Saclay, France
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Продемонстрировано перераспределение интенсивностей коротковолновых и длинноволновых компонент в пределах полосы усиления в спектре генерации квантово-каскадного лазера спектрального диапазона 7-8 μm под действием управляющего напряжения. При увеличении напряжения с 10.5 до 18.2 V длина волны, соответствующая максимуму интенсивности лазерного излучения, смещается примерно на 200 nm. Максимальная ширина спектра генерации составляет порядка 300 nm (при температуре 80 K). Гетероструктура квантово-каскадного лазера выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Использована конструкция активной области на основе двухфононной схемы опустошения нижнего уровня с применением гетеропары твердых растворов In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As, согласованных по параметру кристаллической решетки с подложкой InP. Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия.
  1. Michel A.P.M., Kapit J., Witinski M.F., Blanchard R. // Appl. Opt. 2017. V. 56. P. E23--E29. DOI: 10.1364/ao.56.000e23
  2. Zimmermann H., Wiese M., Fiorani L., Ragnoni A. // J. Sens. Sens. Syst. 2017. V. 6. P. 155--161. DOI: 10.5194/jsss-6-155-2017
  3. Gmachl C., Capasso F., Sivco D.L., Cho A.Y. // Rep. Prog. Phys. 2001. V. 64. P. 1533--1601. DOI: 10.1088/0034-4885/64/11/204
  4. Sharpe S.W., Kelly J.F., Hartman J.S., Gmachl C., Capasso F., Sivco D.L., Baillargeon J.N., Cho A.Y. // Opt. Lett. 1998. V. 23. P. 1396--1398. DOI: 10.1364/ol.23.001396
  5. Maulini R., Beck M., Faist J., Gini E. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 1659--1661. DOI: 10.1063/1.1667609
  6. Faist J., Beck M., Aellen T., Gini E. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 147--149. DOI: 10.1063/1.1339843
  7. Gmachl C., Sivco D.L., Colombelli R., Capasso F., Cho A.Y. // Nature. 2002. V. 415. P. 883--887. DOI: 10.1038/415883a
  8. Muller A., Beck M., Faist J., Oesterle U., Ilegems M. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 1509--1511. DOI: 10.1063/1.124738
  9. Teissier J., Laurent S., Manquest C., Sirtori C., Bousseksou A., Coudevylle J.R., Colombelli R., Beaudoin G., Sagnes I. // Opt. Express. 2012. V. 20. P. 1172--1183. DOI: 10.1364/oe.20.001172
  10. Yao Y., Franz K.J., Wang X., Fan J.-Y., Gmachl C. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 021105. DOI: 10.1063/1.3179165
  11. Yao Y., Liu Z., Hoffman A.J., Franz K.J., Gmachl C.F. // IEEE J. Quant. Electron. 2009. V. 45. P. 730--736. DOI: 10.1109/jqe.2009.2013122
  12. Bismuto A., Terazzi R., Beck M., Faist J. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 141105. DOI: 10.1063/1.3377008
  13. Young C., Cendejas R., Howard S.S., Sanchez-Vaynshteyn W., Hoffman A.J., Franz K.J., Yao Y., Mizaikoff B., Wang X., Fan J., Gmachl C.F. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 091109. DOI: 10.1063/1.3093422
  14. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. V. 1124. P. 041029. DOI: 10.1088/1742-6596/1124/4/041029
  15. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 6. С. 597--602. DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45922.8751
  16. Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Bousseksou A., Егоров А.Ю. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 8. С. 954--957. DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46226.8834
  17. Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Филимонов А.В., Неведомский В.Н., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Bousseksou A., Егоров А.Ю. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 14. С. 64--71. DOI: 10.21883/PJTF.2017.14.44833.16776
  18. Бабичев А.В., Дюделев В.В., Гладышев А.Г., Михайлов Д.А., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Неведомский В.Н., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Денисов Д.В., Ионов А.С., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Соколовский Г.С., Егоров А.Ю. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 14. С. 48--51. DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48025.17824
  19. Бабичев А.В., Bousseksou A., Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Никитина Е.В., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 10. С. 1320--1324. DOI: 10.1134/s1063782616100067
  20. Hofstetter D., Beck M., Aellen T., Faist J. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 396--398. DOI: 10.1063/1.1340865

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.