Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
Center of Multi-User Scientific Equipment “Materials Science and Diagnostics for Advanced Technologies”, (Ioffe Institute), Supported by the Russian Ministry of Education and Science, SIMS, SEM and X-ray microanalysis measurements, project ID RFMEFI62117X0018
Гагис Г.С.1,2, Власов А.С.1, Левин Р.В.1, Маричев А.Е.1, Щеглов М.П.1, Попова Т.Б.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Чистяков Д.В.3, Кучинский В.И.1,2, Васильев В.И.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.gagis@gmail.com, vlasov@scell.ioffe.ru, lev13@yandex.ru, segregate1@yandex.ru, m.scheglov@mail.ioffe.ru, tb_popova@mail.ru, boris.ber@mail.ioffe.ru, dukazantsev@mail.ioffe.ru, Vladimir@kuch.ioffe.ru, giman@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
Исследованы люминесцентные свойства при 77 и 300 K эпитаксиальных слоев Ga1-xInxAsyP1-y, имеющих градиент содержания элементов пятой группы Delta y до 0.08 по всей толщине (около 1 μm). У слоев Ga1-xInxAsyP1-y с высокими Delta y спектры фотолюминесценции были уширены. У слоев GaInAsP низкого кристаллического совершенства фотолюминесценция либо отсутствовала, либо проявляла себя так, как это характерно для переходов с участием примесных уровней. Ключевые слова: фотолюминесценция, твердые растворы, гетероструктуры, фотоэлектрические преобразователи.
- Sasaki A. // Jpn. J. Appl. Phys. 1979. V. 19. N 9. P. 1695--1702
- Васильев В.И., Гагис Г.С., Левин Р.В., Маричев А.Е., Пушный Б.В., Щеглов М.П., Кучинский В.И., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Горохов А.Н., Попова Т.Б. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 24. С. 17--24
- Marichev A.E., Levin R.V., Pushnyii B.V., Gagis G.S., Vasil'ev V.I., Scheglov M.P., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Popova T.B., Marukhina E.P. // J. Phys.: Conf. Ser. 2018. V. 1135. P. 012076 (1--5)
- Nakajima K., Yamazaki S., Komiya S., Akita K. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. N 7. P. 4575--4582
- Mircea A., Mellet R., Rose B., Robein D., Thibierge H., Leroux G., Daste P., Godefroy S., Ossart P., Pougnet A-M. // J. Electron. Mater. 1986. V. 15. N 4. P. 205--213
- Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 11. P. 5815--5875
- Krijn M.P.C.M. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. N 1. P. 27--31
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
