Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическое усиление в сильнолегированных структурах AlxGa1-xN : Si
Переводная версия: 10.1134/S1063785019090189 
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, №0306–2019–0020
РФФИ, 18-52-00008
Бохан П.А.
1, Журавлёв К.С.1,2, Закревский Дм.Э.
1,3, Малин Т.В.
1, Осинных И.В.
1,2, Фатеев Н.В.
1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: bokhan@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru, zakrdm@isp.nsc.ru, mal-tv@mail.ru, igor-osinnykh@isp.nsc.ru, fateev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 27 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
Экспериментально исследованы усилительные характеристики сильнолегированных структур AlxGa1-xN/AlN : Si c x = 0.65 и 0.74 при импульсной оптической накачке излучением Nd : YAG-лазера с λ = 266 nm. Абсолютные значения коэффициентов усиления в максимуме спектра люминесценции при комнатной температуре равны (0.5-6)· 103 сm-1 при плотностях мощности возбуждения 8-600 kW/cm2. Полученные значения сечений излучательной и донорно-акцепторной рекомбинации близки по величине и превышают 10-16 сm2. Ключевые слова: сильнолегированные структуры AlxGa1-xN/AlN, усилительные свойства.
- Nagasawa Y., Hirano A. // Appl. Sci. 2018. V. 8. P. 1264--1299. DOI: 10.3390/app8081264
- Бохан П.А., Журавлёв К.С., Закревский Дм.Э., Малин Т.В., Осиных И.В., Фатеев Н.В. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 1. С. 5--12. DOI: 10.21883/PJTF.2017.01.16442
- Bokhan P.A., Fateev N.V., Malin T.V., Osinnykh I.V., Zakrevsky Dm.E., Zhuravlev K.S. // J. Lumin. 2018. V. 203. P. 127--134. doi.org/10.1016/j.jlumin.2018.06.034
- Shaklee K.L., Leheny R.F. // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 18. P. 475--477. doi.org/10.1063/1.1653501
- Зверев А.Г., Набиев Р.Ф, Печенов А.Н., Попов Ю.М., Скорбун С.Д. // Квантовая электроника. 1980. Т. 7. N 9. С. 2011--2014. doi.org/10.1070/QE1980v010n09ABEH010695
- Lange C., Schwalm M., Chatterjee S., Ruhle W.W., Gerhardt N.C., Johnson S.R., Wang J.-B., Zhang Y.-H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 191107 (1--3). doi.org/10.1063/1.2802049
- Cerdan L. // Opt. Lett. 2017. V. 42. P. 5258--5261. doi.org/10.1364/OL.42.005258
- Osinnykh I.V., Malin T.V., Plyusnin V.F., Suranov A.S., Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. P. 05FG09. doi.org/10.7567/JJAP.55.05FG09
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
