Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 13 » Статья стр. 7
<<<>>>
Роль жидкого подслоя Al в качестве катализатора направленного роста нанокристаллов ZnO
DOI: 10.21883/PJTF.2019.13.47948.17808
Переводная версия: 10.1134/S1063785019070150
Russian Foundation for Basic Research, ofi-m, 16-29-11763
Ministry of Education and Science of the Russian Federation , State assignment FSRC «Crystallography and Photonics»
Волчков И.С. 1, Ополченцев А.М. 1, Задорожная Л.А. 1, Григорьев Ю.В. 1, Каневский В.М. 1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: Volch2862@gmail.com, opol0607@mail.ru, vpzadorozhny@mail.ru , ygrigoriev@mail.ru , kanev@crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
PDF версия
Исследованы поведение и влияние предварительно сформированного легирующего слоя Al, нанесенного на кремниевую подложку, на морфологию и ориентационный рост массивов нанокристаллитов ZnO : Al. Показаны этапы распада легирующего слоя Al на капли квазижидкой фазы под действием температурной обработки на начальном этапе процесса роста по механизму пар-жидкость-кристалл. Представлена схема этапов роста нанокристаллитов ZnO по механизму пар-жидкость-кристалл на подложке Si с предварительно нанесенным слоем легирующего металла. Ключевые слова: оксид цинка, растровая электронная микроскопия, ориентированный рост, массив нанокристаллитов, металл-катализатор.
  1. Bagnall D.M., Chen Y.F., Zhu Z., Yao T. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. N 17. P. 2230--2232
  2. Srikant V., Clarke D.R. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 10. P. 5447--5451
  3. Fang T.H., Kang S.H. // Current Nanosci. 2010. V. 6. N 5. P. 1--7
  4. Пронин И.А., Якушова Н.Д., Димитров Д.Ц., Крастева Л.К., Папазова К.И., Карманов А.А., Аверин И.А., Георгиева А.Ц., Мошников В.А., Теруков Е.И. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 18. С. 11--16
  5. Yamamoto T., Katayama-Yoshida H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. N 2B. P. L166--L169
  6. Joseph M., Tabata H., Kawai T. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. N 11A. P. L1205--L1207
  7. Minegishi K., Koiwai Y., Kikuchi Y., Yano K., Kasuga M., Shimizu A. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. N 11A. P. L1453--L1455
  8. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Воробьев В.О. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 3. С. 284--288
  9. Sernelius B.E., Berggren K.-F., Jin Z.-C., Hamberg I., Granqvist C.G. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. N 17. P. 10244--10248
  10. Yoon M.H., Lee S.H., Park H.L., Kim H.L., Jang M.S. // J. Mater. Sci. Lett. 2002. V. 21. N 21. P. 1703--1704
  11. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Романычев А.И. // ФТТ. 2016. Т. 58. В. 7. С. 1398--1402
  12. Zhang S.B., Wei S.-H., Zunger A. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. N 7. P. 075205 (1--7)
  13. Исмаилов А.М., Эмирасланова Л.Л., Рабаданов М.Х., Рабаданов М.Р., Алиев И.Ш. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 12. С. 52--61
  14. Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Якимов Е.Е. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 2. С. 275--278
  15. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. С. 42
  16. Редькин А.Н., Маковей З.И., Грузинцев А.Н., Дубонос С.В., Якимов Е.Е. // Неорган. материалы. 2007. Т. 43. N 3. С. 301--306
  17. Zandalazini C., Villafuerte M., Oliva M., Heluani S.P. // Mater. Sci. Eng. B. 2015. V. 195. P. 59--65
  18. Громов Д.Г., Гаврилов С.А. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 10. С. 2012--2021

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme