Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 24
<<<>>>
Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами
DOI: 10.21883/PJTF.2019.11.47819.17782
Переводная версия: 10.1134/S1063785019060099
Иванов-Омский В.И. 1, Мынбаев К.Д. 1, Трапезникова И.Н.1, Андрющенко Д.А.2, Баженов Н.Л. 1, Михайлов Н.Н.3, Варавин В.С. 3, Ремесник В.Г.3, Дворецкий С.А.3, Якушев М.В. 3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: ivanov.ivom@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, trapeza@mail.ioffe.ru, dimitriy296@mail.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, varavin@isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru, yakushev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
PDF версия
Путем исследования оптического пропускания и фотолюминесценции изучено разупорядочение в пленках твердых растворов теллуридов кадмия-ртути, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si и GaAs. Обсуждаются эффект существенного снижения масштаба разупорядочения в результате термического отжига и возможная связь наблюдаемых явлений с дефектами, типичными для пленок материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Ключевые слова: теллуриды кадмия-ртути, разупорядочение, оптическое пропускание, люминесценция.
  1. Lei W., Antoszewski J., Faraone L. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. N 4. P. 041303
  2. Kinch M. // J. Electron. Mater. 2015. V. 44. N 9. P. 2969--2976
  3. Rogalski A., Martyniuk P., Kopytko M. // Rep. Prog. Phys. 2016. V. 79. N 4. P. 046501
  4. Gille P., Herrmann K.H., Puhlmann N., Schenk M., Tomm J.W., Werner L. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. N 1-4. P. 593--598
  5. Lusson A., Fuchs F., Marfaing Y. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 101. N 1-4. P. 673--677
  6. Fuchs F., Koidl P. // Semicond. Sci. Technol. 1991. V. 6. N 12C. P. C71--C75
  7. Oudadjaout D., Marfaing Y. // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. N 17. P. 12096--12105
  8. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Marin D.V., Yakushev M.V. // J. Electron. Mater. 2018. V. 47. N 8. P. 4731--4736
  9. Bazovkin V.M., Dvoretsky S.A., Guzev A.A., Kovchavtsev A.P., Marin D.V., Polovinkin V.G., Sabinina I.V., Sidorov G.Yu., Tsarenko A.V., Vasil'ev V.V., Varavin V.S., Yakushev M.V. // Infrared Phys. Technol. 2016. V. 76. P. 72--74
  10. Sidorov Yu.G., Anciferov A.P., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sabinina I.V., Remesnik V.G., Ikusov D.G., Uzhakov I.N., Sidorov G.Yu., Kuzmin V.D., Rihlicky S.V., Shvets V.A., Mardezov A.S., Spesivcev E.V., Gutakovskii A.K., Latyshev A.V. Molecular beam epitaxy of CdxHg1-xTe // Advances in semiconductor nanostructures: growth, characterization, properties and applications. Amsterdam: Elsevier, 2017. Ch. 12. P. 297--323
  11. Moazzami K., Phillips J., Lee D., Edwall D., Carmody M., Piquette E., Zandian M., Arias J. // J. Electron. Mater. 2004. V. 33. N 6. P. 701--708
  12. Бахтин П.А., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Кравченко А.Ф., Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 11. С. 1369--1373
  13. Yue F., Shao J., Lu X., Huang W., Chu J., Wu J., Lin X., He L. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 89. N 2. P. 021912
  14. Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., Варавин В.С., Колесников А.В., Труханов Е.М., Сабинина И.В., Лошкарев И.Д. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 11. C. 2095--2101
  15. Сабинина И.В., Гутаковский А.К., Сидоров Ю.Г., Латышев А.В. // Письма в ЖЭТФ. 2011. Т. 94. В. 4. С. 348--352

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme