Вышедшие номера
Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 μm на основе бесфосфорных гетероструктур
Переводная версия: 10.1134/S1063785019060129
Министерство науки и высшего образования РФ , ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», Соглашение о предоставлении субсидии от 26.09.2017 г. № 14.578.21.0253, уникальный идентификатор RFMEFI57817X0253
Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1,2, Зубов Ф.И.1, Новиков И.И.3, Гладышев А.Г.3, Карачинский Л.Я.2,4, Денисов Д.В.4,5, Рочас С.С.3, Колодезный Е.С.3, Егоров А.Ю.3, Жуков А.Е.1,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности тока и снижении дифференциальной эффективности. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовая яма, характеристическая температура, модулированное легирование.