Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 20
<<<>>>
Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 μm на основе бесфосфорных гетероструктур
DOI: 10.21883/PJTF.2019.11.47818.17778
Переводная версия: 10.1134/S1063785019060129
Министерство науки и высшего образования РФ , ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы», Соглашение о предоставлении субсидии от 26.09.2017 г. № 14.578.21.0253, уникальный идентификатор RFMEFI57817X0253
Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1,2, Зубов Ф.И.1, Новиков И.И.3, Гладышев А.Г.3, Карачинский Л.Я.2,4, Денисов Д.В.4,5, Рочас С.С.3, Колодезный Е.С.3, Егоров А.Ю.3, Жуков А.Е.1,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
PDF версия
Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности тока и снижении дифференциальной эффективности. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовая яма, характеристическая температура, модулированное легирование.
  1. Kaznierski C., Blez M., Quillec M., Allovon M., Sermage B. // Electron. Lett. 1990. V. 26. N 13. P. 889--900
  2. Kasukawa A., Bhat R., Schwarz S.A., Hwang D.M., Koza M.A., Lee T.P. // Electron. Lett. 1991. V. 27. N 12. P. 1063--1064
  3. Muller M., Hofmann W., Grundl T., Horn M., Wolf P., Nagel R.D., Ronneberg E., Bohm G., Bimberg D., Amann M.C. // IEEE J. Select. Top. Quant. Electron. 2011. V. 17. N 5. P. 1158--1166
  4. Гладышев А.Г., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Блохин С.А., Блохин А.А., Надточий А.М., Курочкин А.С., Егоров А.Ю. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 9. С. 1208--1212
  5. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 10. С. 1429--1433
  6. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 4. С. 95--102
  7. Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.O., Ионов А.С. // Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 125. В. 2. С. 229--233
  8. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 9. С. 1034--1037
  9. Uomi K., Ohtoshi T., Chione N. // Tech. Digest of 10th IEEE Semicond. Laser Conf. Tokyo, Japan, 1986. P. 184
  10. Uomi K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. N 1. P. 88--94
  11. Ralston J.D., Weisser S., Esquivias I., Larkins E.C., Rosenzweig J., Tasker P.J., Fleissner J. // IEEE J. Quantum Electron. 1993. V. 29. N 6. P. 1648--1659
  12. Uomi K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. N 1. P. 81--87
  13. Belenky G.L., Reynolds C.L., Jr., Kazarinov R.F., Swaminathan V., Luryi S.L., Lopata J. // IEEE J. Quantum Electron. 1996. V. 32. N 8. P. 1450--1455
  14. Shchekin O.B., Deppe D.G. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. N 18. P. 3277--3279
  15. Fathpour S., Mi Z., Bhattacharya P., Kovsh A.R., Mikhrin S.S., Krestnikov I.L., Kozhukhov A.V., Ledentsov N.N. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N 22. P. 5164--5166
  16. Sokol A.K., Sarzala R.P. // Opt. Appl. 2013. V. 43. N 2. P. 325--341
  17. Hudait M.K, Modak P., Hardikar S., Krupanidhi S.B. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. N 10. P. 4931--4937

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme