Впервые исследовано влияние образования тонких пленок силицидов никеля на миграцию собственных примесей p-типа кремния. Установлен существенный рост (до 3-4 раз) объемного сопротивления rho_v монокристалла Si при формировании на его поверхности пленки NiSi₂ толщиной theta≥50-100 Angstrem, что объясняется миграцией атомов бора в сторону силицидной пленки. Оценочная толщина слоя Si, при которой происходит интенсивная миграция бора, составляет 800-1000 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.