Вышедшие номера
Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники
Переводная версия: 10.1134/S1063785019040047
НИЦ ”Курчатовский институт", приказ от 23.08.2017 г. № 1381
Андреев А.А.1, Грищенко Ю.В. 1, Черных И.А. 1, Занавескин М.Л. 1, Лобанович Э.Ф. 1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: andreev_aa@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 19 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Предложена методика in situ создания омических контактов к EuO на основе алюминия методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сформированные контакты характеризуются линейной вольт-амперной характеристикой, обладают контактным сопротивлением 0.55 Omega·mm и стабильны на воздухе, что свидетельствует о перспективности использования предложенной технологии для формирования устройств спинтроники.