Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 4 » Статья стр. 31
<<<>>>
Гетероструктура BaTiO3/LaSrMnO3 на сапфире для сегнетоэлектрических туннельных переходов
DOI: 10.21883/PJTF.2019.04.47334.17599
Переводная версия: 10.1134/S1063785019020263
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-08-00808 А
Гагарин А.Г. 1, Тумаркин А.В. 1, Сапего Е.Н. 1, Кункель Т.С.2,3, Стожаров В.М.4
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: aggagarin@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
PDF версия
На подложке r-среза сапфира методом высокочастотного магнетронного распыления реализованы структуры BaTiO3/LaSrMnO3 с толщиной сегнетоэлектрического слоя 10 nm. Структурные исследования показали наличие кристаллической фазы, электрофизические измерения выявили пьезоэлектрический отклик полученных пленок титаната бария. Результаты измерений локальных вольт-амперных характеристик демонстрируют зависимость сопротивления от истории приложения напряжения, обусловленную сегнетоэлектрическим гистерезисом пленки BaTiO3.
  1. Yin Y., Li Q. // J. Materiomics. 2017. V. 3. N 3. P. 245--254
  2. Garcia V., Bibes M. // Nature Commun. 2014. V. 5. P. 4289
  3. Cao D., Wang N., Wang J., Zhou Y., Jiao Z., Cai M., Hu W. // Eur. Phys. J. B. 2017. V. 90. N 10. P. 188
  4. Abuwasib M., Lu H., Li T., Buragohain P., Lee H., Eom C.-B., Gruverman A., Singisetti U. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. N 15. P. 152904
  5. Liu X., Burton J.D., Tsymbal E. Ferroelectric tunnel junction with a semiconductor electrode // Bull. Am. Phys. Soc.: APS March Meeting 2016 (Baltimore, Maryland). 2016. V. 61. N 2. H30.00008.http://meetings.aps.org./link/ BAPS.2016.MAR.H30.8
  6. Wang L., Cho M.R., Shin Y.J., Kim J.R., Das S., Yoon J.-G., Chung J.-S., Noh T.W. // Nano Lett. 2016. V. 16. N 6. P. 3911--3918
  7. Burton J.D., Tsymbal E. Thickness dependence of ferroelectric stability in SrRuO3/BaTiO3/La0.7Sr0.3MnO3 ferroelectric tunnel junctions // Bull. Am. Phys. Soc.: APS March Meeting 2016 (Baltimore, Maryland). 2016. V. 61. N 2. B30.00009. htt://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.B30.9
  8. Barrionuevo D., Zhang L., Ortega N., Sokolov A., Kumar A., Scott J.F., Katiyar R.S. // Integr. Ferroelectrics. 2016. V. 174. N 1. P. 174--185
  9. Imam M., Stojic N., Binggeli N. // Nanotechnology. 2017. V. 28. N 31. P. 315202
  10. Yoon C., Lee J.H., Lee S., Jeon J.H., Jang J.T., Kim D.H., Kim Y.H., Park B.H. // Nano Lett. 2017. V. 17. N 3. P. 1949--1955
  11. Liu Y.K., Yin Y.W., Dong S.N., Yang S.W., Jiang T., Li X.G. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. N 4. P. 043507
  12. Sanchez-Santolino G., Tornos J., Hernandez-Martin D., Beltran J.I., Munuera C., Cabero M., Perez-Munoz A., Ricote J., Mompean F., Garcia-Hernandez M., Sefrioui Z., Leon C., Pennycook S.J., Munoz M.C., Varela M., Santamaria J. // Nature Nanotechnol. 2017. V. 12. N 7. P. 655--662. DOI: 10.1038/nnano.2017.51
  13. Garcia V., Bibes M., Bocher L., Valencia S., Kronast F., Crassous A., Moya X., Enouz-Vedrenne S., Gloter A., Imhoff D., Deranlot C., Mathur N.D., Fusil S., Bouzehouane K., Barthelemy A. // Science. 2010. V. 327. N 5969. P. 1106--1110
  14. Rafique S., Han L., Neal A.T., Mou S., Tadjer M.J., French R.H., Zhao H. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. N 13. P. 132103
  15. Wang J., Zhou Y., Watkinson M., Gautrot J., Krause S. // Sensors Actuators B: Chemical. 2015. V. 209. P. 230--236
  16. Wemple S.H., Didomenico M., Jr., Camlibel I. // J. Phys. Chem. Solids. 1968. V. 29. N 10. P. 1797--1803
  17. Panda B., Dhar A., Nigam G.D., Bhattacharya D., Ray S.K. // Thin Solid Films. 1998. V. 332. N 1-2. P. 46--49

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme