Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120416 
Филатов Д.О.1, Карзанов В.В.1, Антонов И.Н.1, Горшков О.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 20 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
Экспериментально установлено, что время переключения треугольными импульсами в мемристорных структурах Ti-TiN-ZrO2(Y)-Zr-Au из низкоомного в высокоомное состояние обратно пропорционально скорости нарастания напряжения на структуре, т. е. току смещения через мемристорную структуру. Предложен механизм влияния силы тока смещения на время переключения.
- Resistive switching: from fundamentals of nanoionic redox processes to memristive device applications / Eds D. Ielmini, R. Waser. Weinheim: Wiley-VCH, 2016. 784 p
- Merrikh Bayat F., Prezioso M., Chakrabarti B., Nili H., Kataeva I., Strukov D. // Nature Commun. 2018. V. 9. P. 2331
- Riess I. // J. Electroceram. 2017. V. 39. N 1-4. P. 61-72
- Ielmini D. // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. N 6. P. 063002
- Lee J.S., Lee S., Noh T.W. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. N 3. P. 031303
- Chang K.-C., Chang T.-C., Tsai T.-M., Zhang R., Hung Y.-C., Syu Y.-E., Chang Y.-F., Chen M.-C., Chu T.-J., Chen H.-L., Pan C.-H., Shih C.-C., Zheng J.-C., Sze S.M. // Nanoscale Res. Lett. 2015. V. 10. P. 120-147
- La Torre C., Fleck K., Starschich S., Linn E., Waser R., Menzel S. // Phys. Status Solidi A. 2016. V. 213. N 2. P. 316-319
- Wu C.-H., Lin S.-K., Pan C.-H., Chen P.-H., Lin W.-Y., Chang T.-C., Tsai T.-M., Xu Y.-L., Shih C.-C., Lin Y.-S., Chen W.-C., Wang M.-H., Zhang S.-D., Sze S.M. // IEEE Electron Dev. Lett. 2018. V. 39. N 8. P. 1163-1166
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 413 с
- Starschich S., Menzel S., Bottger U. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 108. N 3. P. 032903
- Tikhov S., Gorshkov O., Antonov I., Morozov A., Koryazhkina M., Filatov D. // Adv. Condens. Matter Phys. 2018. V. 2018. P. 2028491 (1-8)
- Kim W., Menzel S., Wouters D.J., Guo Y., Robertson J., Roesgen B., Waser R., Rana V. // Nanoscale. 2016. V. 8. N 41. P. 17774-17781
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
