Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления
Лунин Л.С.1,2, Лунина М.Л.1, Казакова А.Е.2, Пащенко А.С.1, Алфимова Д.Л.1, Арустамян Д.А.2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
Методом импульсного лазерного напыления получены наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для каскадных фотоэлектрических преобразователей, работающих в интервале длин волн 300-1300 nm. Исследованы структурные и люминесцентные свойства нанопленок AlInGaPAs на GaAs и GaAs на Si. Изучены спектральные характеристики фотоэлементов трехкаскадного фотоэлектрического преобразователя AlInGaPAs/GaAs/Si.
- Jain N., Hudait M.K. // Energy Harvesting Syst. 2014. V. 1. N 3-4. P. 121--145. DOI: 10.1515/ehs-2014-0012
- Krier A., Yin M., Marshall A.R.J., Krier S.E. // J. Electron. Mater. 2016. V. 45. N 6. P. 2826--2830. DOI: 10.1007/s11664-016-4373-0
- Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 8. С. 937--948
- Alferov Zh.I. , Andreev V.M. , Rumyantsev V.D. // Springer Ser. in Optical Sciences. 2007. V. 130. P. 25--50. DOI: 10.1007/978-3-540-68798-6\_2
- Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Лунина М.Л. // Вестн. Южного научного центра РАН. 2011. Т. 7. N 4. С. 25--30
- Лунин Л.С., Лунина М.Л., Девицкий О.В., Сысоев И.А. // ФТП. 2017. Т. 53. В. 3. С. 403--408. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299
- Алфимова Д.Л., Лунина М.Л., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Лунин Л.С., Казакова А.Е. // Неорган. материалы. 2017. Т. 53. В. 12. С. 1245--1256. DOI: 10.7868/S0002337X17120016
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.