"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование in situ кинетики твердофазной реакции, активированной энергией упругих напряжений при формировании наноразмерной пленочной структуры Cu/As2Se3
Переводная версия: 10.1134/S1063785018110226
Когай В.Я. 1
1Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
Email: vkogai@udman.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Впервые исследована in situ кинетика твердофазной химической реакции, активированная энергией упругих напряжений при формировании наноразмерной пленочной структуры Cu/As2Se3. Показано, что время, при котором начинается твердофазная химическая реакция, а также величина электрического напряжения гетерослоя Cu/As2Se3 существенно зависят от толщины пленки As2Se3. При критической толщине пленки As2Se3, равной 110 nm, достигается пороговое значение энергии упругих напряжений. Релаксация этой энергии по зародившимся в пленочной системе новым дефектам-микропорам и микротрещинам приводит к активации и увеличению скорости твердофазной химической реакции. Представлен механизм действия положительной обратной связи между химической реакцией в твердом теле и упругими напряжениями.
  1. Дельмон Б. Кинетика гетерогенных реакций. М.: Мир, 1972. 554 с
  2. Болдырев В.В. // Успехи химии. 1973. Т. 42. В. 7. С. 1161--1183
  3. Болдырев В.В., Чупахин А.П., Сидельников А.А. // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1985. Т. 17. N 6. С. 31--38
  4. Sidelnikov A.A., Chupakhin A.P., Boldyrev V.V. // React. Solids. 1987. N 3. P. 1--19
  5. Parditka B., Zaka H., Erdelyi G., Langer G., Ibrahim M., Schmitz G., Balogh-Michels Z., Erdelyi Z. // Scripta Mater. 2018. V. 149. P. 36--39
  6. Жарков С.М., Моисеенко Е.Т., Алтунин Р.Р., Николаева Н.С., Жигалов В.С., Мягков В.Г. // Письма в ЖЭТФ. 2014. Т. 99. В. 7. С. 472--477
  7. Когай В.Я., Михеев К.Г., Михеев Г.М. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 15. С. 34--41
  8. Her Y.C., Chen C.W. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. N 4. P. 043518
  9. Mikheev K.G., Kogai V.Ya., Mikheev G.M. // J. Phys.: Conf. Ser. 2017. V. 917. P. 062003
  10. Жарков С.М., Квеглис Л.И. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 5. С. 938--944
  11. Мягков В.Г., Быкова Л.Е., Бондаренко Г.Н., Жигалов В.С., Польский А.И., Мягков Ф.В. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 71. В. 5. С. 268--273
  12. Когай В.Я., Вахрушев А.В., Федотов А.Ю. // Письма в ЖЭТФ. 2012. Т. 95. В. 9. С. 514--517
  13. Когай В.Я., Вахрушев А В. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 23. С. 34--38
  14. Когай В.Я., Александрович А.Н. // Химическая физика и мезоскопия. 2012. Т. 14. N 4. С. 633--635
  15. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд-во ЛГУ, 1983. 344 с
  16. Кукушкин С.А., Тентилова И.Ю., Пронин И.П. // ФТТ. 2012. Т. 54. В. 3. С. 571--575
  17. Abermann R., Koch R. // Thin Solid Films. 1985. V. 129. P. 71--78
  18. Кукушкин С.А., Кузьмичев С.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 8. С. 1390--1394

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.