Коррелированное изменение электрических характеристик тонкопленочного полевого транзистора при модификации физических свойств его оксидного полупроводникового канала (InZnO : N)
Черемисин А.Б.1, Кулдин Н.А.1
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
Email: acher612@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
Исследованы изменения передаточной и вольт-фарадной характеристик тонкопленочного полевого транзистора при варьировании физических свойств оксидного полупроводникового слоя (InZnO : N), образующего канал. Для модификации электрических параметров прибора использовался эффект фотоиндуцированного накопления заряда в полупроводнике. Показано коррелированное однообразное изменение наклона и положения на оси напряжений вольт-фарадной (CG-VG) и передаточной (ID-VG) кривых устройства при засветке. Полученные результаты подтверждают правомерность совместного использования характеристик CG-VG и ID-VG при анализе особенностей энергетической зонной структуры оксидных полупроводников.
- Kwon J.Y., Jeong J.K. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. N 2. P. 024002 (1--16)
- Kimura M., Nakanishi T., Nomura K., Kamiya T., Hosono H. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. N 13. P. 133512 (1--3)
- Park J.-H., Jeon K., Lee S., Kim S., Kim S., Song I., Kim C.J., Park J., Park Y., Kim D.M., Kim D.H. // IEEE Electron Dev. Lett. 2008. V. 29. N 12. P. 1292--1295
- Qiang L., Yao R.-H. // J. Display Technol. 2015. V. 11. N 4. P. 325--329
- Lee H., Kim J., Choi S., Kim S.K., Kim J., Park J., Choi S.-J., Kim D.H., Kim D.M. // IEEE Electron Dev. Lett. 2017. V. 38. N 2. P. 199--202
- Cheremisin A.B., Kuznetsov S.N., Stefanovich G.B. // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. N 10. P. 105011 (1--9)
- Li M., Lan L., Xu M., Xu H., Luo D., Xiao P., Peng J. // Solid-State Electron. 2014. V. 91. P. 9--12
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
