Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 20 » Статья стр. 53
<<<>>>
Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
DOI: 10.21883/PJTF.2018.20.46806.17452
Переводная версия: 10.1134/S1063785018100267
Калмыков А.Е.1, Мясоедов А.В.1, Сорокин Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amyasoedov88@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
PDF версия
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована дефектная структура толстого (~15 mum) полуполярного слоя нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на кремниевой подложке ориентации (001) с использованием буферных слоев. Выявлена и проанализирована асимметрия дефектной структуры слоя. Обсуждается влияние асимметрии на скорость убывания плотности прорастающих дислокаций в эпитаксиальном слое в ходе его роста.
  1. http://www.matprop.ru/
  2. Bernardini F., Fiorentini V., Vanderbilt D. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. P. R10024--R10027
  3. Bernardini F., Fiorentini V. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. P. R9427--R9430
  4. Khoury M., Tottereau O., Feuillet G., Vennegues P., Zuniga-Perez J. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. P. 105108 (1--7)
  5. Johnston C.F., Moram M.A., Kappers M.J., Humphreys C.J. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 161109 (1--3)
  6. Wang T. // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. P. 093003 (1--26)
  7. Romanov A.E., Baker T.J., Nakamura S., Speck J.S. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 023522
  8. Wu F., Tyagi A., Young E.C., Romanov A.E., Fujito K., DenBaars S.P., Nakamura S., Speck J.S. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 033505
  9. Zhao G., Wang L., Yang S., Li H., Wei H., Han D., Wang Z. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 20787 (1--10)
  10. Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Кукушкин С.А., Мясоедов А.В., Осипов А.В., Родин С.Н., Щеглов М.П., Феоктистов Н.А. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 48--54
  11. Bessolov V., Kalmykov A., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Poletaev N., Rodin S. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 202--206
  12. Rouviere J.-L., Arlery M., Bourret A. // Microscopy of semiconducting materials. Inst. Phys. Conf. Ser. 1997. N 157. P. 173--182
  13. Mathis S.K., Romanov A.E., Chen L.F., Beltz G., Pompe W., Speck J.S. // Phys. Status Solidi A. 2000. V. 179. P. 125--145
  14. Sorokin L.M., Myasoedov A.V., Kalmykov A.E., Kirilenko D.A., Bessolov V.N., Kukushkin S.A. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. P. 114002 (1--6)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme