Разработаны и созданы методом жидкофазной эпитаксии высокоэффективные фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) в системе AlGaAs-GaAs с вводом лазерного излучения (lambda = 850 nm) с торцевой поверхности параллельно плоскости p-n-перехода приборной структуры. Для увеличения эффективности "захвата" света p-n-переходом сформирован волноводный слой Al_xGa_1-xAs с плавным изменением содержания алюминия от x =0.55 до 0.15, обеспечивающий создание градиента показателя преломления в этом слое и отклонение лучей света к p-n-переходу. При засветке ФЭП (без антиотражающего покрытия) лазерным излучением мощностью 0.1-0.2 W получен КПД 41.5%. Просветление торцевой поверхности ФЭП обеспечивает повышение КПД разработанного ФЭП до 55%.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.