Вышедшие номера
Структура, диэлектрические и оптические свойства c-ориентированных пленок SBN-50, выращенных на подложке Pt/Al2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063785018060068
Павленко А.В.1,2, Ковтун А.П.1, Зинченко С.П.1,2, Стрюков Д.В.1,2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: antvpr@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Проведены исследования структуры, диэлектрических и оптических свойств тонких пленок сегнетоэлектрика-релаксора Ba0.5Sr0.5Nb2O6, выращенных методом высокочастотного RF-напыления в атмосфере кислорода на подложке Pt(111)/Al2O3 (c-срез). Рентгеноструктурные исследования показали, что пленки Ba0.5Sr0.5Nb2O6 являются c-ориентированными, параметры элементарной ячейки в тетрагональном приближении составили c = 3.949(1) Angstrem и a = 12.38(1) Angstrem. Установлено, что в объекте по сравнению с объемным материалом увеличивается температура перехода из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу и возрастает оптическая анизотропия. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.