Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 11 » Статья стр. 30
<<<>>>
Структура, диэлектрические и оптические свойства c-ориентированных пленок SBN-50, выращенных на подложке Pt/Al2O3
DOI: 10.21883/PJTF.2018.11.46194.17257
Переводная версия: 10.1134/S1063785018060068
Павленко А.В.1,2, Ковтун А.П.1, Зинченко С.П.1,2, Стрюков Д.В.1,2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: antvpr@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
PDF версия
Проведены исследования структуры, диэлектрических и оптических свойств тонких пленок сегнетоэлектрика-релаксора Ba0.5Sr0.5Nb2O6, выращенных методом высокочастотного RF-напыления в атмосфере кислорода на подложке Pt(111)/Al2O3 (c-срез). Рентгеноструктурные исследования показали, что пленки Ba0.5Sr0.5Nb2O6 являются c-ориентированными, параметры элементарной ячейки в тетрагональном приближении составили c = 3.949(1) Angstrem и a = 12.38(1) Angstrem. Установлено, что в объекте по сравнению с объемным материалом увеличивается температура перехода из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу и возрастает оптическая анизотропия. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.
  1. Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Изд-во Южного научного центра РАН, Ростов н/Д, 2008. 224 c
  2. Buixaderas E., Savinov M., Kempa M., Veljko S., Kamba S., Petzelt J., Pankrath R., Kappha S. // J. Phys.: Condens. Matter. 2005. V. 17. P. 653--666
  3. Борисов С.А., Окунева Н.М., Вахрушев С.Б., Набережнов А.А., Волк Т.Р., Филимонов А.В. // ФТТ. 2013. Т. 55. В. 2. С. 295--301
  4. Shvartsman V.V., Kleemann W., ukasiewicz T., Dec J. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 054105
  5. Толмачев Г.Н., Ковтун А.П., Захарченко И.Н., Алиев И.М., Павленко А.В., Резниченко Л.А., Вербенко И.А. // ФТТ. 2015. Т. 57. В. 10. С. 2050--2055
  6. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. 400 с
  7. Павленко А.В., Захарченко И.Н., Анохин А.С., Куприна Ю.А., Кисилева Л.И., Юзюк Ю.И. // ФТТ. 2017. Т. 59. В. 5. С. 888--891
  8. Ковтун А.П., Зинченко С.П., Павленко А.В., Толмачев Г.Н. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 11. C. 48--55
  9. Rakic A.D., Djuris A.B., Elazar J.M., Majewski M.L. // Appl. Opt. 1988. V. 37. P. 5271--5283
  10. Kip D., Aulkemeyer S., Buse K., Mersh F., Pankrath R. // Phys. Status Solidi A. 1996. V. 154. P. K5--K7
  11. Черная Т.С., Максимов Б.А., Волк Т.Р., Ивлева Л.И., Симонов В.И. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 9. С. 1668--1672
  12. Podlpzhenov S., Graetsch H.A., Schneider J., Ulex M., Wohlecke M., Betzler K. // Acta Cryst. B: Struct. Sci. 2006. V. 62. P. 960--965

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme