Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs
Министерство образования и науки Российской Федераци, Государственное задание, 11.2247.2017
Прудаев И.А.
1, Верхолетов М.Г.
2, Королёва А.Д.
3, Толбанов О.П.
11Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
3ПАО "Радиофизика", Москва, Россия
Email: funcelab@gmail.com, top@mail.tsu.ru
Поступила в редакцию: 15 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных S-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры n+-pi-nu-n-типа с диффузионным распределением глубокого акцептора железа. В ходе решения уравнений непрерывности и Пуассона с использованием коммерческого пакета проектирования обнаружено влияние инжекции электронов на напряжение лавинного пробоя, а также эффект расширения области пространственного заряда за счет захвата лавинных дырок на отрицательные ионы железа в pi-области. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что S-образная вольт-амперная характеристика диффузионных лавинных S-диодов необъяснима с позиций ранее предложенного механизма захвата лавинных дырок на глубокие уровни железа.
- Хлудков С.С., Толбанов О.П., Вилисова М.Д., Прудаев И.А. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами. Томск: Изд. дом Томск. гос. ун-та, 2016. 258 с
- Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 1983. Т. 26. N 10. С. 67--78
- Прудаев И.А., Хлудков С.С., Скакунов М.С., Толбанов О.П. // ПТЭ. 2010. N 4. C. 68--73
- Yamashita S., Hosokawa Y., Anbe T., Nakano T. // Proc. IEEE. 1970. V. 58. N 8. P. 1279--1280
- Кузьмин В.А., Кюрегян А.С. // Радиотехника и электроника. 1975. Т. 20. N 7. С. 1449--1456
- Хлудков С.С., Толбанов О.П., Корецкий А.В. // Изв. вузов. Физика. 1986. Т. 29. N 4. С. 54--58
- Алфёров Ж.И., Грехов И.В., Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Корольков В.И., Степанова М.Н. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 18. С. 1089--1093
- Vainshtein S.N., Yuferev V.S., Kostamovaara J.T. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. N 2. P. 024502 (1--9)
- Прудаев И.А., Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 2009. Т. 52. N 2. С. 48--53
- Прудаев И.А., Хлудков С.С. // Изв. вузов. Физика. 2008. Т. 51. N 11. С. 39--41
- Брылевский В.И., Рожков A.В., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 7. С. 1--7
- Hu L., Su J., Ding Z., Hao Q., Yuan X. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. N 9. P. 094503 (1--8)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
