Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 4 » Статья стр. 42
<<<>>>
Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2018.04.45637.17076
Переводная версия: 10.1134/S1063785018020220
Комиссарова Т.А.1, Жмерик В.Н.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: komissarova@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
PDF версия
Изучены зависимости количества спонтанно формируемых кластеров металлического In в слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (ПА МПЭ), от условий их роста. Исследованы N- и In-полярные слои InN, выращенные соответственно на подложках с-сапфира и темплейтах GaN и AlN. N-полярные образцы InN выращивались в стандартном режиме ПА МПЭ, для роста In-полярных слоев использовался трехстадийный режим, включающий стадии эпитаксии с повышенной миграцией атомов и метод прерывания роста под потоком азота. Для разных образцов варьировались значения температуры роста и соотношения потоков In/N. С помощью измерения и аппроксимации магнитополевых зависимостей коэффициента Холла определены величины процентного содержания кластеров In в различных слоях InN и минимальное количество металлических включений, которое может быть достигнуто варьированием условий роста. DOI: 10.21883/PJTF.2018.04.45637.17076
  1. Wide bandgap semiconductors / Eds K. Takashi, A. Yoshikawa, A. Sandhu. Berlin-Heidelberg-N.Y.: Springer, 2007. 447 p
  2. Chin V.W.L., Tansley T.L., Osotchan T. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 7365--7372
  3. Wu J. // J. Appl. Phys. 2009. V. 106. P. 011101
  4. Сергеев В.А., Фролов И.В., Радаев О.А. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 4. С. 89--93
  5. Прудаев И.А., Копьев В.В., Романов И.С., Олейник В.Л. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 2. С. 240--246
  6. Ivanov S.V., Shubina T.V., Komissarova T.A., Jmerik V.N. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 403. P. 83--89
  7. Shubina T.V., Ivanov S.V., Jmerik V.N., Mizerov A.M., Leymarie J., Vasson A., Monemar B., Kop'ev P.S. // AIP Conf. Proc. 2007. V. 893. P. 269--272
  8. Komissarova T.A., Jmerik V.N., Ivanov S.V., Paturi P. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. P. 072107
  9. Saitoh H., Utsumi W., Aoki K. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 473--476
  10. Duan Х.М., Stampfl С. // Phys. Rev. 2008. V. 77. P. 115207
  11. Komissarova T.A., Shakhov M.A., Jmerik V.N., Shubina T.V., Parfeniev R.V., Ivanov S.V., Wang X., Yoshikawa A. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 012107
  12. Lu H., Schaff W.J., Hwang J., Wu H., Yeo W., Pharkya A., Eastman L.F. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 2548--2550
  13. Yamaguchi T., Nanishi Y. // Appl. Phys. Express. 2009. V. 2. P. 051001
  14. Wolfe C.M., Stillman G.E., Rossi J.A. // J. Electrochem. Soc. 1972. V. 119. P. 250--255
  15. Indium nitride and related alloys / Eds T.D. Veal, C.F. McConville, W.J. Schaff. CRC Press, 2010. 645 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme