Вышедшие номера
Спонтанное формирование кластеров In в эпитаксиальных слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063785018020220
Комиссарова Т.А.1, Жмерик В.Н.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: komissarova@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Изучены зависимости количества спонтанно формируемых кластеров металлического In в слоях InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (ПА МПЭ), от условий их роста. Исследованы N- и In-полярные слои InN, выращенные соответственно на подложках с-сапфира и темплейтах GaN и AlN. N-полярные образцы InN выращивались в стандартном режиме ПА МПЭ, для роста In-полярных слоев использовался трехстадийный режим, включающий стадии эпитаксии с повышенной миграцией атомов и метод прерывания роста под потоком азота. Для разных образцов варьировались значения температуры роста и соотношения потоков In/N. С помощью измерения и аппроксимации магнитополевых зависимостей коэффициента Холла определены величины процентного содержания кластеров In в различных слоях InN и минимальное количество металлических включений, которое может быть достигнуто варьированием условий роста. DOI: 10.21883/PJTF.2018.04.45637.17076