Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 4 » Статья стр. 34
<<<>>>
Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем delta-легировании
DOI: 10.21883/PJTF.2018.04.45636.16915
Переводная версия: 10.1134/S106378501802027X
Сафонов Д.А.1, Виниченко А.Н.1,2, Каргин Н.И.1, Васильевский И.С.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, Калининград, Россия
Email: safonov.dan@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
PDF версия
Исследовано влияние концентрации кремния при одностороннем delta-легировании на электронные транспортные свойства псевдоморфных квантовых ям Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8 As/GaAs в широком интервале температур (2.1-300 K), что позволило обеспечить высокую подвижность электронов при T =4.2 K: до 35 700 cm2/(V· s) при их концентрации в квантовой яме 2· 1012 cm-2. Описан зонный механизм ограничения ионизации доноров при возрастании легирования. Обоснован механизм немонотонного изменения подвижности электронов с ростом концентрации доноров кремния: увеличение подвижности связано с ростом импульса Ферми и экранированием, а последующий ее спад обусловлен туннельной деградацией спейсерного слоя при понижении потенциала зоны проводимости в области слоя delta-Si. Показано, что эффект не связан с заполнением верхней подзоны размерного квантования. DOI: 10.21883/PJTF.2018.04.45636.16915
  1. Ohno H., Luo J.K., Matsuzaki K., Hasegawa H. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 36--38
  2. Greally M.G., Hayne M., Usher A., Hill G., Hopkinson M. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 8465--8469
  3. Cordier Y., Lorenzini P., Chauveau J.-M., Ferre D., Androussi Y., DiPersio J., Vignaud D., Codron J.-L. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 251. P. 822--826
  4. Litwin-Staszewska E., Suski T., Skierbiszewski C., Kobbi F., Robert J.L., Mosser V. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 405--407
  5. Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Широков С.С., Имамов Р.М., Субботин И.А. // ФТП. 2008. Т. 42. B. 9. С. 1102--1109
  6. Babinski A., Siwiec-Matuszyk J., Baranowski J.M., Li G., Jagadish C. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 999--1001
  7. Cole E.A.B., Boettcher T., Snowden C.M. // Semicond. Sci. Technol. 1997. V. 12. P. 100--110
  8. Vainberg V.V., Pylypchuk A.S., Baidus N.V., Zvonkov B.N. // Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron. 2013. V. 16. P. 152--161
  9. Kadow C., Lin H.-K., Dahlstrom M., Rodwell M., Gossard A.C., Brar B., Sullivan G. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 251. P. 543--546
  10. Ishikawa T., Saito J., Sasa S., Hiyamizu S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. P. L675--L676
  11. Schubert E.F., Ploog K. // Phys. Rev. B. 1984. V. 30. P. 7021--7029
  12. Kulbachinskii V.A., Vasil'evskii I.S., Lunin R.A., Galistu G., de Visser A., Galiev G.B., Shirokov S.S., Mokerov V.G. // Semicond. Sci. Technol. 2007. V. 22. P. 222--228
  13. Walukiewicz W., Ruda H.E., Agowski J.I., Gatos H.C. // Phys. Rev. B. 1984. V. 30. P. 4571--4582
  14. Виниченко А.Н., Гладков В.П., Каргин Н.И., Стриханов М.Н., Васильевский И.С. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 12. С. 1660--1665
  15. Кульбачинский В.А., Овешников Л.Н., Лунин Р.А., Юзеева Н.А., Галиев Г.Б. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 2. С. 204--213

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme