Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 3 » Статья стр. 3
>>>
Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4H-SiC
DOI: 10.21883/PJTF.2018.03.45572.17025
Переводная версия: 10.1134/S1063785018020086
Иванов П.А.1, Коньков О.И.1, Самсонова Т.П.1, Потапов А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
PDF версия
Изготовленные на основе эпитаксиальных 4H-SiC p++-p+-p-no-n+-структур высоковольтные (1600 V) диоды испытаны в качестве быстродействующих размыкателей тока в составе специальной импульсной схемы. Измеренное время обрыва тока составляет около 150 ps. Такое время является рекордно коротким для высоковольтных (свыше 1000 V) карбидкремниевых диодных размыкателей. Впервые эскпериментально оценена величина насыщенной скорости дрейфа дырок в 4H-SiC p-типа: vsp = 3· 106 cm/s. DOI: 10.21883/PJTF.2018.03.45572.17025
  1. Грехов И.В., Месяц Г.А. // УФН. 2005. Т. 175. N 7. С. 735--744
  2. Брылевский В.И., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. B. 8. С. 80--87
  3. Брылевский В.И., Рожков A.В., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. B. 7. С. 1--7
  4. Грехов И.В., Иванов П.А., Константинов А.О., Самсонова Т.П. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. B. 13. С. 24--29
  5. Grekhov I.V., Ivanov P.A., Khristyuk D.V., Konstantinov A.O., Korotkov S.V., Samsonova T.P. // Solid State Electron. 2003. V. 47. N 10. P. 1769--1774
  6. Грехов И.В., Кюрегян А.С., Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 9. С. 1148--1151
  7. Иванов П.А., Коньков О.И., Самсонова Т.П., Потапов А.С., Грехов И.В. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 1. С. 1558--1562
  8. Афанасьев А.В., Иванов Б.В., Ильин В.А., Кардо-Сысоев А.Ф., Лучинин В.В., Серков Ф.Б. // Сб. трудов Всерос. конф. "Микроэлектроника СВЧ". СПб.: СПбГЭТУ, 2012. С. 260--262
  9. Иванов М.С., Родин П.Б., Иванов П.А., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 1. С. 87--94
  10. Ivanov P.A., Potapov A.S., Samsonova T.P., Grekhov I.V. // Solid State Electron. 2016. V. 123. P. 15--18

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme