Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 22 » Статья стр. 63
<<<>>>
Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4H-SiC
DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45262.16921
Лебедев А.А.1, Давыдовская К.С.1, Якименко А.Н.2, Стрельчук А.М.1, Козловский В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
PDF версия
Исследовано изменение вольт-амперных характеристик и величины нескомпенсированной донорной примеси (Nd-Na) в базе диодов Шоттки и JBS-диодов на основе 4H-SiC при их облучении электронами с энергией 0.9 MeV и протонами с энергией 15 MeV. Скорость удаления носителей при облучении электронами составила 0.07-0.15 cm-1, а при облучении протонами 50-70 cm-1. Показано, что исследованные приборы сохраняли выпрямляющие вольт-амперные характеристики вплоть до доз электронного облучения ~ 1017 cm-2. Показано, что радиационная стойкость исследованных приборов на основе SiC существенно превосходит радиационную стойкость кремниевых p-i-n-диодов с аналогичными напряжениями пробоя. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45262.16921
  1. Jonson E.O. // RCA Rev. 1965. V. 26. P. 163--177
  2. Baliga B.J. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 1759--1764
  3. Лебедев А.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 9. С. 1096--1099
  4. Choyke W.J. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1977. V. 31. P. 58--69
  5. Hallen A., Henry A., Pelligrino P. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 1999. V. 61-62. P. 378--381
  6. Swensson B.G. et al. // Mater. Sci. Forum. 2001. V. 353-356. P. 349--354
  7. Casse G. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A. 2009. P. 54--60
  8. Metcalfe J. // Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.) 2011. V. 215. P. 151--153
  9. http://cree.com/
  10. Emtsev V.V., Ivanov A.M., Kozlovski V.V. еt al. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 4. С. 473--481
  11. Лебедев А.А., Давыдовская К.С., Стрельчук А.М., Козловский В.В.. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2017. N 9. С. 11--13 и др
  12. Козловский В.В., Емцев В.В., Емцев К.В. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 2. С. 243--248
  13. Kozlovski V.V., Strokan N.B., Ivanov A.M., Lebedev A.A., Emtsev V.V., Oganesyan G.A., Poloskin D.S. // Physica B. 2009. V. 404. P. 4752
  14. Лебедев А.А., Богданова Е.В., Григорьева М.В., Лебедев С.П., Козловский В.В. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 19. P. 90--94

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme