Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский научный центр РАН
2Санкт-Петербургский научный центр РАН
Email: alexashpigun@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
Исследуется влияние конструкции метаморфного буферного слоя на изменения с течением времени электрофизических характеристик метаморфных транзисторов InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов. С помощью Холловских измерений показано, что транзисторная гетероструктура с метаморфным буфером на основе сверхрешеток In(Al)GaAs/InAlAs обладает наибольшими значениями концентрации и подвижности электронов в канале и наименее подвержена деградации с течением времени. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643
- Heyn C., Mendach S., Lohr S., Beyer S., Hansen W. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 251. P. 832
- Horikawa H., Ogawa Y., Kawai Y., Sakuta M. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. P. 397
- Kaminska M., Liliental Weber Z., Weber E.R., George T. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 1881
- Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 6. С. 14
- Лаврухин Д.В., Ячменев А.Э., Галиев Р.Р., Хабибуллин Р.А., Пономарев Д.С., Федоров Ю.В., Мальцев П.П. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 1. С. 73
- Kirch J., Garrod T., Kim S., Park J.H., Shin J.C., Mawst L.J., Kuech T.F., Song X., Babcock S.E., Vurgaftman I., Meyer J.R., Kuan T.S. // J. Cryst. Growth. 2010. V. 312. P. 1165
- Jones R.K., Hebert P., Pien P., King R.R., Bhusari D., Brandt R., Al Taher O., Fetzer C., Ermer J., Boca A., Larrabee D., Liu X.Q., Karam N. // 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 2010. P. 000189
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
