Вышедшие номера
Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
Никитина Е.В.1,2, Лазаренко А.А.1, Пирогов Е.В.1, Соболев М.С.1, Березовская Т.Н.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский научный центр РАН
Email: alexashpigun@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Исследуется влияние конструкции метаморфного буферного слоя на изменения с течением времени электрофизических характеристик метаморфных транзисторов InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов. С помощью Холловских измерений показано, что транзисторная гетероструктура с метаморфным буфером на основе сверхрешеток In(Al)GaAs/InAlAs обладает наибольшими значениями концентрации и подвижности электронов в канале и наименее подвержена деградации с течением времени. DOI: 10.21883/PJTF.2017.18.45039.16643