Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние облучения быстрыми протонами с энергией 32 MeV на критические параметры современных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb3Sn
Дегтяренко П.Н.
1,2, Ballarino A.3, Bottura L.3, Гаврилкин С.Ю.4, Flukiger R.3, Круглов В.С.1,5, Латушкин С.Т.1, Рязанов А.И.1,5, Scheuerlein C.3, Семенов E.1, Шавкин С.В.
1, Spina T.3, Унежев В.Н.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
3ЦЕРН, C Женева 23, Швейцария
4Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Объединенный институт высоких температур РАН, Москва, Россия
3ЦЕРН, C Женева 23, Швейцария
4Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: degtyarenkopn@gmail.com, shavkin@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
Методами вибрационной магнитометрии проведены исследования изменений электрофизических характеристик нескольких типов современных коммерческих многожильных композиционных проводов на основе сверхпроводящего соединения Nb3Sn при температурах 4.2, 7 и 12 K в магнитных полях до 8 T до и после облучения на циклотроне НИЦ КИ быстрыми протонами с энергией 32 MeV и флюенсами облучения phi t = 3 · 1016, 1· 1017, 3· 1017 и 1· 1018 cm-2. Для всех образцов при флюенсах облучения до phi t = 1 · 1017 cm-2 отмечен рост критической плотности тока, наиболее резко выраженный в сильных магнитных полях и при низких температурах; при флюенсе облучения phi t = 1 · 1018 cm-2 наблюдается падение критической плотности тока до уровня меньше исходного. Критическая температура образцов монотонно уменьшается с ростом флюенса облучения. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44710.16495
- Weber H.W. // Int. J. Modern Phys. 2011. V. E20. P. 1--47
- Parrell J.A. et al. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 2007. V. 17. N 2. P. 2560--2563
- Bordini B. et al. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 2012. V. 22. N 3. P. 6000304
- Baumgartner T. et al. // Trans. Appl. Supercond. 2012. V. 22. P. 6000604
- Spina T. et al. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 2015. V. 25. N 3. P. 600505
- Baumgartner T. et al. // Supercond. Sci. Technol. 2014. V. 27. N 1. P. 015005
- Александров А.С. и др. // ФТТ. 1979. Т. 21. N 7. С. 2062--2072
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
