Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурообразование наносистем цинка при использовании мембран АОА
1Сумский государственный университет, Сумы, Украина 
Email: ganna.korniushchenko@fulbrightmail.org
Поступила в редакцию: 26 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.
Предложен способ получения наносистем Zn при конденсации слабопересыщенных паров на систему мембрана анодно-окисленного алюминия (АОА) - подложка (Si). Для эффективного проникновения паров Zn в глубь пор АОА параллельно образующим пор формировался направленный паровой поток, при этом температура внешней поверхности мембраны была выше температуры подложки. Слабые паровые потоки получены при магнетронном распылении Zn в высокочистой инертной среде. Определены оптимальные условия формирования наносистем Zn в виде массива упорядоченных островков на поверхности подложки и связанных нанонитей на поверхности мембраны. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44303.16485
- Lei Y., Cai W., Wilde G. // Prog. Mater Sci. 2007. V. 52. P. 465-539
- Lei Y., Yang S., Wub M., Wilde G. // Chem. Soc. Rev. 2010. V. 40. P. 1247-1258
- Shingubara S. // J. Nanopart. Res. 2003. V. 5. P. 17-30
- Wu M., Wen L., Lei Y. et al. // Small. 2010. V. 6. P. 695-699
- Huczko A. // Appl. Phys. A. 2000. V. 70. P. 365-376
- Matsui S., Ochiai Y. // Nanotechnology. 1996. V. 7. P. 247-258
- Chu W., Smith H.I., Schattenburg M.L. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 1641-1643
- Lei Y., Jiao Z., Wu M., Wilde G. // Adv. Eng. Mater. 2007. V. 9. Iss. 5. P. 343-348
- Puntes V.F., Krishnan K.M., Alivisatos A.P. // Science. 2001. V. 291. P. 2115-2117
- Whitesides G.M., Grzyboeski B.A. // Science. 2002. V. 295. P. 2418-2421
- Perekrestov V.I., Kosminska Y.O., Kornyushchenko A.S., Latyshev V.M. // Physica B. 2013. V. 411. P. 140-148
- Perekrestov V.I., Kornyushchenko A.S., Kosminskaya Y.A. // Tech. Phys. 2008. V. 53. P. 1364-1370
- Perekrestov V.I., Kornyushchenko A.S., Natalich V.V. // Solid State Sci. 2014. V. 33. P. 12-18
- Perekrestov V.I., Kosminska Y.O., Kornyushchenko A.S., Mokrenko A.A. // J. Porous Mater. 2013. V. 20. P. 967-974
- Maissel L.I., Glang R. Handbook of Thin Film Technology. V. 1. New York: Mc Graw Hill Hook Company, 1970. P. 1-170
- Perekrestov V.I., Kravchenko S.N. // Instrum. Exp. Tech. 2002. V. 45. P. 404-407
- Znamenskii A.G., Marchenko V.A. // Tech. Phys. 1998. V. 43. P. 766-773
- Perekrestov V.I., Kornyushchenko A.S., Natalich V.V. et al. // Mater. Lett. 2015. V. 153. P. 171-174
- Mokrenko A.A., Perekrestov V.I., Kosminska Y.O. // J. Nano-Electron. Phys. 2010. V. 3. Iss. 2. P. 36-47
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
