Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 23 » Статья стр. 51
<<<>>>
Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4o и интерфейса Cs/SiC(100) 4o
DOI: 10.21883/pjtf.2016.23.43982.16389
Бенеманская Г.В.1,2, Дементьев П.А.1,2, Кукушкин С.А.2,3,4, Лапушкин М.Н., Осипов А.В.2,3, Тимошнев С.Н.2,5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lapushkin@ms.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.
PDF версия
Впервые проведены фотоэмиссионные исследования электронной структуры вицинальной поверхности SiC(100) 4o, выращенной новым методом замещения атомов подложки, и интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Исследована модификация спектров валентной зоны и остовных уровней C 1s, Si 2p в процессе формирования интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Обнаружено подавление поверхностного состояния SiC с энергией связи 2.8 eV и образование индуцированного цезием состояния с энергией связи 10.5 eV. Впервые обнаружена и исследована модификация сложной структуры компонентов в спектре остовного уровня C 1s. Найдено, что адсорбция Cs на вицинальной поверхности SiC(100) 4o приводит к интеркаляции островков графена на SiC(100) 4o атомами Cs.
  1. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. // ФТТ. 2014. Т. 56. С. 1457
  2. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 313 001
  3. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. P. 0249 091
  4. van Elsbergen V., Kampen T.U., Monch W. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 316
  5. Benemanskaya G.V.; Dementev P.A., Kukushkin S.А. et al. // Mater. Phys. Mech. 2015. V. 22. P. 183
  6. Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А. et al. // ФТП. 2016. Т. 50. С. 465
  7. Semond F., Soukiassian P., Mangat P.S. et al. // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 104/105. P. 79
  8. Fedorus A.G., Naumovets A.G., Vedula Yu.S. // Phys. Stat. Sol (a). 1972. V. 13. P. 44
  9. Сукисян // Appl. Surf. Sci. 1996. V. 104/105. P. 79
  10. Wenchangt L., Weidong Y., Kaimingt Zh. // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. V. 3. P. 9079
  11. Watcharinyanon S., Virojanadara C., Johansson L.I. // Surf. Sci. 2011. V. 605. P. 1918
  12. Biedermann L.B., Bolen M.L., Capano M.A. et al. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 125 411
  13. Gotterbarm K., Zhao W., Hoofert O. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2013. V. 15. P. 19 625
  14. Галль Н.Р., Михайлов С.Н., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. // ЖТФ. 1986. Т. 56. С. 732
  15. Галль Н.Р., Михайлов С.Н., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. // ФТТ. 1986. Т. 28. С. 2521

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme