Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности зарядовой нейтрализации карбида кремния при спекании электронным пучком в форвакуумной области давлений
1Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия 
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
3Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: burdov@fet.tusur.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
Показано, что при электронно-лучевом спекании компактов из карбида кремния по мере роста температуры образца заметную роль в процессах нейтрализации заряда электронного пучка играет электропроводность спекаемого образца, а также термоэлектронная эмиссия с его поверхности. По результатам эксперимента для компакта карбида кремния определены ширина запрещенной зоны и работа выхода электронов.
- Burdovitsin V., Dvilis E., Zenin A., Klimov A., Oks E., Sokolov V., Kachaev A., Khasanov O. // Advanced Materials Research. 2014. V. 872. P. 150--156
- Бурдовицин В.А., Климов А.С., Медовник А.В., Окс Е.М., Юшков Ю.Г. Форвакуумные плазменные источники электронов. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2014. 288 с
- Бурдовицин В.А., Климов А.С., Окс Е.М. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 11. С. 61--66
- Бурдовицин В.А., Гулькина В.С., Медовник А.В., Окс Е.М. // ЖТФ. 2013. Т. 83. В. 12. С. 134--136
- Бурдовицин В.А., Жирков И.С., Окс Е.М., Осипов И.В., Федоров М.В. // ПТЭ. 2005. N 6. С. 66--68
- Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с
- Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Сов. радио, 1967. 451 с
- Gary Lynn Harris. Properties of silicon carbide. United Kingdom: IEEE, 1995. 282 р
- Levinshtein M.E. et al. Properties of advanced semiconductor materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Wiley, 2001. P. 94
- Khasanov O., Dvilis E., Burdovitsin V., Oks E., Khasanov A. // Abstracts of papers of Int. Conf. SINTERING 2014. Dresden, Germany, 2014, August 24-28. Paper N. ID: 247
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
