Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2-300 K
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 4 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
Измерено удельное контактное сопротивление rhoc омических контактов на основе InP и GaAs в диапазоне температур 4.2-300 K. Получены немонотонные температурные зависимости rhoc с минимумом при T=50 K для InP и T=150 K для GaAs. Для контактов на основе GaAs немонотонные зависимости rhoc(T) получены впервые. Показано, что экспериментальные зависимости rhoc(T) объясняются в рамках механизма прохождения тока через металлические шунты, проникающие в глубь полупроводника, с учетом вымораживания электронов при гелиевых температурах. Омичность контактов обеспечивается благодаря ограничению электронного тока диффузионным подводом при реализации обогащающих изгибов зон на границе полупроводника с металлом у торца шунта.
- Marshall E.D. Ohmic contacts to n-type aluminum gallium arsenide utilizing limited solid-hhase reactions. Ph.D. Dissertation. San Diego: Univ. of California, 1989
- Yu L.S., Wang L.C., Marshall E.D., Leu S.S., Kuech T.F. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. P. 1621
- Алфеев В.Н., Бахтин П.А., Васенков А.А., Войтович И.Д., Махов В.И. Интегральные схемы и микроэлектронные приборы (устройства) с сверхпроводниками. М.: Радио и связь, 1985
- Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices / 3rd ed. John Wiley and Sons, 2007
- Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 11. С. 1281
- Sachenko A.V., Belyaev A.E., Boltovets N.S., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Novitskii S.V., Sheremet V.N., Li J., Vitusevich S.A. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. N 8. P. 083 701
- Sachenko A.V., Belyaev A.E., Boltovets N.S., Vinogradov A.O., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya, Kuchuk A.V., Sheremet V.N., Vitusevich S.A. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. N 6. P. 063 703
- Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Новицкий С.В., Кудрик Я.Я., Саченко А.В., Шеремет В.Н., Виноградов А.О. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 3. С. 342.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
