Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 10 » Статья стр. 25
<<<>>>
Планарная наноструктура с полевой эмиссией пленки алмазоподобного углерода для построения низковольтного катода с развитой поверхностью
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативных научных проектов, 13-07-00734-а
Абаньшин Н.П.1, Аветисян Ю.А.2, Акчурин Г.Г.2,3, Логинов А.П.1, Морев С.П.4,5, Мосияш Д.С.1, Якунин А.Н.2
1OOO "Волга-Свет", Саратов
2Институт проблем точной механики и управления РАН, Саратов, Россия
3НИУ "Саратовский государственный университет", Саратов
4Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
5НПП "Торий", Москва
Email: npabanshin@mail.ru, yuaavetisyan@mail.ru, AkchurinGG@mail.ru, spmor@yandex.ru, denis-mos@yandex.ru, anyakunin@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 января 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
PDF версия
Обсуждаются вопросы эффективного решения проблем, связанных с разработкой долговечных низковольтных автоэмиссионных катодов с развитой рабочей поверхностью и высокой плотностью тока полевой эмиссии. Приведены результаты практической реализации концепции многоэлектродных планарных наноструктур на основе полевой эмиссии пленки алмазоподобного углерода. Высокая средняя плотность тока 0.1-0.3 A·cm-2 обеспечивается формированием контролируемой зоны локализации поля лезвийной структуры. Достигнутая долговечность образцов катода на уровне 700-3000 h обусловлена положительным влиянием ряда факторов, включая стабилизирующие свойства алмазоподобной углеродной пленки, защиту эмиттера от ионной бомбардировки, использование системы балластных сопротивлений, а также низковольтность за счет субмикронных межэлектродных зазоров.
  1. Mustonen A., Guzenko V., Spreu C., Feurer T., Tsujino S. // Nanotechnology. 2014. V. 25. P. 085 203(1--6)
  2. Соминский Г.Г., Тумарева Т.А., Тарадаев Е.П., Мишин М.В., Степанова А.Н. // ЖТФ. 2015. Т. 85. В. 1. С. 138--141
  3. Рахимов А.Т. // УФН. 2000. Т. 170. N 9. С. 996--999
  4. Бочаров Г.С., Елецкий А.В. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 4. С. 111--116
  5. Абаньшин Н.П., Горфинкель Б.И., Якунин А.Н. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 20. С. 52--59
  6. Морев С.П., Абаньшин Н.П., Горфинкель Б.И., Дармаев А.Н., Комаров Д.А., Макеев А.Э., Якунин А.Н. // Радиотехника и электроника. 2013. Т. 58. N 4. С. 399--408
  7. Егоров Н.В., Шешин Е.П. Автоэлектронная эмиссия. Принципы и приборы. М.: Интеллект, 2011. 703 с
  8. Месяц Г.А. // УФН. 1995. Т. 165. N 6. С. 601--616
  9. Robertson J. // Mater. Sci. Eng.: R: Reports. 2002. V. 37. P. 129--281
  10. Forbes R.G. // 28th International Vacuum Nanoelectronics Conference IVNC 2015. Guangzhou, July 2015. P. 20--21. doi: 10.1109/IVNC.2015.7225514
  11. Образцов А.Н., Волков А.П., Павловский И.Ю. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 68. В. 1. С. 56--60
  12. Абаньшин Н.П., Горфинкель Б.И., Морев С.П., Мосияш Д.С., Якунин А.Н. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 86--94
  13. Aban'shin N.P., Loginov A.P., Mosiyash D.S., Yakunin A.N. // 28th International Vacuum Nanoelectronics Conference IVNC 2015. 13-17 July 2015. Guangzhou, China. 2015. P. 202--203. doi:10.1109/IVNC.2015.7225583
  14. Насыров К.А., Гриценко В.А. // УФН. 2013. Т. 183. N 10. С. 1099--1114
  15. Schwoebel P.R., Spindt C.A., Holland C.E. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2005. V. 23. P. 691

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme